1. 2024
  2. High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Sn-mediated transformations on Si(111) surface: reconstructions, electromigration, homoepitaxy

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Vergules, A. I., Mansurov, V. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., мар. 2024, в: Surface Science. 741, 13 стр., 122418.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Low-defect-density SnSe2 films nucleated via thin layer crystallization

    Ponomarev, S. A., Zakhozhev, K. E., Rogilo, D. I., Gutakovsky, A. K., Kurus, N. N., Kokh, K. A., Sheglov, D. V., Milekhin, A. G. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 631, 5 стр., 127615.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

    Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. 2025
  7. Structural Transformation of Bi2Se3(001) Surface during Sn Monolayer Annealing

    Zakhozhev, K., Ponomarev, S., Golyashov, V., Nasimov, D., Kokh, K. & Rogilo, D., 8 авг. 2025, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 80-83 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3486631