1. 2025
  2. Charge Transport in MIS Structures ITO/[GeOx](z)[SiO2](1–z)/Si

    Yushkov, I., Gismatulin, A., Kamaev, G., Vergnat, M. & Volodin, V. A., дек. 2025, в: Russian Microelectronics. 54, 8, стр. 842-847 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Механизм транспорта заряда в МДП-структурах ITO/[GeOx](z)[SiO2](1-z)/n+-Si

    Юшков, И. Д., Гисматулин, А. А., Камаев, Г. Н., Vergnat, M. & Володин, В. А., 2025, в: Физика и техника полупроводников. 59, 6, стр. 364-370 7 стр., 10.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2024
  5. Charge transport mechanism in [GeOx](z)[SiO2](1-z) based MIS structures

    Yushkov, I. D., Gismatulin, A. A., Prosvirin, I. P., Kamaev, G. N., Marin, D. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., 9 дек. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 24, 242901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. 2023
  7. Memristors Based on GeSixOy Glass Films on p+-Si Substrate

    Volodin, V. A., Yushkov, I. D., Kamaev, G. N. & Vergnat, M., дек. 2023, в: Russian Microelectronics. 52, Suppl 1, стр. S30-S37 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Photovoltaic Effect in ITO/Germanosilicate Glass/Si Structures

    Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Hamoud, G. A., Yushkov, I. D. & Vergnat, M., дек. 2023, в: Russian Microelectronics. 52, Suppl 1, стр. S84-S91 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Characterization of Structure, Morphology, Optical and Electrical Properties of AlN–Al–V Multilayer Thin Films Fabricated by Reactive DC Magnetron Sputtering

    Миронова, М. И., Капишников, А. В., Хамуд, Г., Володин, В. А., Азаров, И. А., Юшков, И. Д., Камаев, Г. Н., Супрун, Е., Chirikov, N., Davletkildeev, N. A., Baidakov, A. N., Kovivchak, V. S., Baranova, L. V., Струнин, В. И. & Гейдт, П. В., февр. 2023, в: Coatings. 13, 2, 223.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Memristors Based on Many-Layer Non-Stoichiometric Germanosilicate Glass Films

    Yushkov, I. D., Yin, L., Kamaev, G. N., Prosvirin, I. P., Geydt, P. V., Vergnat, M. & Volodin, V. A., февр. 2023, в: Electronics (Switzerland). 12, 4, 873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Memristors Based on GeSixOy Glass Films on p+-Si substrate

    Володин, В. А., Юшков, И. Д., Камаев, Г. Н. & Vergnat, M., 2023, Труды международ. конф. (2-6 октября 2023: Звенигород, РФ) : Сборник тезисов. ООО "МАКС Пресс", стр. 24

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  12. MEMRISTORS BASED ON GESIXOY GLASS FILMS ON P+-SI SUBSTRATE

    Володин, В. А., Камаев, Г. Н., Юшков, И. Д. & Vergnat, M., 2023, Сборник тезисов: International Conference “Micro- and nanoelectronics – 2023". стр. 24 1 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  13. 2022
  14. Resistance Switching in Polycrystalline C12A7 Electride

    Юшков, И. Д., Камаев, Г. Н., Володин, В. А., Гейдт, П. В., Капишников, А. В. & Володин, А. М., нояб. 2022, в: Micromachines. 13, 11, 1917.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3518069