1. 2019
  2. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. В поисках универсальной памяти

    Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 139-141 3 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. Выявление корреляции между концентрациями нейтральных и заряженных ловушек в тонких пленках оксида гафния

    Залялов, Т. М. & Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 136-137 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  7. 2018
  8. The Evolution of the Conductivity and Cathodoluminescence of the Films of Hafnium Oxide in the Case of a Change in the Concentration of Oxygen Vacancies

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Lebedev, M. S., 1 окт. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 10, стр. 2050-2057 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. 2017
  13. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

ID: 3435182