The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Inc., стр. 493-504 12 стр.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching

Chernov, A. A., Islamov, D. R., Pik'nik, A. A., Perevalov, T. V. & Gritsenko, V. A., 1 янв. 2016, NONVOLATILE MEMORIES 5. Karim, Z., Kobayashi, K., Shima, H., Bersuker, G., Shingubara, S., Saito, Y., Park, J. G., Magyari-Kope, B., Kubota, H. & Goux, L. (ред.). 32 ред. ELECTROCHEMICAL SOC INC, стр. 95-104 10 стр. (ECS Transactions; том 75, № 32).

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование