1. 2024
  2. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 30 янв. 2024, в: Computational Materials Science. 233, 5 стр., 112708.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. 2023
  5. Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Azarov, I. A., Spesivtsev, E. V. & Gritsenko, V. A., мар. 2023, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 136, 3, стр. 345-352 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. 2022
  8. Optimal Structure of Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: First-Principle Modeling

    Kovzik, V. M., Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 11-14 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  9. 2021
  10. Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  13. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  14. 2020
  15. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 3435182