1 - 10 из 30Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2023

  2. Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Azarov, I. A., Spesivtsev, E. V. & Gritsenko, V. A., мар. 2023, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 136, 3, стр. 345-352 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2022

  5. Optimal Structure of Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: First-Principle Modeling

    Kovzik, V. M., Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 11-14 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  6. 2021

  7. Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 2020

  12. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide

    Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., 19 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 16, 5 стр., 162901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. 2019

  15. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3435182