1 - 32 из 32Размер страницы: 50
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2024

  2. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Impact of lanthanum doping on the electronic structure of oxygen vacancies in hafnium oxide

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 30 янв. 2024, в: Computational Materials Science. 233, 5 стр., 112708.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2023

  5. Mechanism of Transverse Charge Transfer in Thin Films of Hexagonal Boron Nitride

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Azarov, I. A., Spesivtsev, E. V. & Gritsenko, V. A., мар. 2023, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 136, 3, стр. 345-352 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. CPU vs RAM in the Issue of ab initio Simulations of Doped Hafnium Oxide for RRAM and FRAM

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2023, в: Supercomputing Frontiers and Innovations. 10, 3, стр. 18-26 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2022

  8. Optimal Structure of Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: First-Principle Modeling

    Kovzik, V. M., Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 11-14 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. 2021

  10. Exact statistical solution for the hopping transport of trapped charge via finite Markov jump processes

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 13 мая 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, стр. 10163 10163.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K., Perevalov, T. V., Prosvirin, I. P. & Islamov, D. R., 30 апр. 2021, в: Nanotechnology. 32, 18, 185205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. 2020

  15. Charge transport mechanism in dielectrics: drift and diffusion of trapped charge carriers

    Pil’nik, A. A., Chernov, A. A. & Islamov, D. R., 1 дек. 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 10 стр., 15759.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Impact of oxygen vacancy on the ferroelectric properties of lanthanum-doped hafnium oxide

    Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., 19 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 16, 5 стр., 162901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2019

  18. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. В поисках универсальной памяти

    Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 139-141 3 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  23. Выявление корреляции между концентрациями нейтральных и заряженных ловушек в тонких пленках оксида гафния

    Залялов, Т. М. & Исламов, Д. Р., 2019, Сборник тезисов, материалы Двадцать пятой Всероссийской научной конференции студентов-физиков и молодых ученых (ВНКСФ-25, Крым). Екатеринбург: Издательство АСФ России, стр. 136-137 2 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  24. 2018

  25. The Evolution of the Conductivity and Cathodoluminescence of the Films of Hafnium Oxide in the Case of a Change in the Concentration of Oxygen Vacancies

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Lebedev, M. S., 1 окт. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 10, стр. 2050-2057 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. 2017

  30. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  31. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  32. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  33. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  37. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  38. The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM

    Islamov, D. R., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. J., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 279-281 3 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  39. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  40. 2016

  41. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching

    Chernov, A. A., Islamov, D. R., Pik'nik, A. A., Perevalov, T. V. & Gritsenko, V. A., 1 янв. 2016, NONVOLATILE MEMORIES 5. Karim, Z., Kobayashi, K., Shima, H., Bersuker, G., Shingubara, S., Saito, Y., Park, J. G., Magyari-Kope, B., Kubota, H. & Goux, L. (ред.). 32 ред. Electrochemical society, стр. 95-104 10 стр. (ECS Transactions; том 75, № 32).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

ID: 3435182