Influence of the active TaN/ZrOx/Ni memristor layer oxygen content on forming and resistive switching behavior › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1088/1361-6528/abce7b
Конечная издательская версия

V. A. Voronkovskii
V. S. Aliev
A. K. Gerasimova
T. V. Perevalov
I. P. Prosvirin
D. R. Islamov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	185205
Журнал	Nanotechnology
Том	32
Номер выпуска	18
Дата раннего онлайн-доступа	23 февр. 2021
DOI	https://doi.org/10.1088/1361-6528/abce7b
Состояние	Опубликовано - 30 апр. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

2.11 ПРОЧИЕ ТЕХНОЛОГИИ
1.04 ХИМИЧЕСКИЕ НАУКИ
2.05 ТЕХНОЛОГИЯ МАТЕРИАЛОВ

ID: 28141011