1 - 43 из 43Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2026

  2. Subthermal Mean Transverse Energies Induced by Electron Refraction on the Jump in Mass at the Surface of Multialkali Photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Scheibler, H. E., Rusetsky, V. S., Gorshkov, D. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 25 мар. 2026, в: Physical Review Letters. 136, 12, 7 стр., 127001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Theoretical and experimental determination of work function of HfIrxBy compounds

    Lozanov, V. V., Nikiforov, Y. A., Golosov, M. A., Utkin, A. V., Golyashov, V. A., Kistanov, A. A., Tereshchenko, O. E. & Baklanova, N. I., 30 янв. 2026, в: Applied Surface Science. 716, 12 стр., 164629.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. 2025

  5. Chemically prepared tellurium layer on PbSnTe films: passivation and oxidation properties

    Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Fedosenko, E. V., Golyashov, V. A., Shvets, V. A., Suprun, S. P., Kyrova, E. D., Mikaeva, A. S. & Tereshchenko, O. E., 15 авг. 2025, в: Surfaces and Interfaces. 71, 8 стр., 106887.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Structural Transformation of Bi2Se3(001) Surface during Sn Monolayer Annealing

    Zakhozhev, K., Ponomarev, S., Golyashov, V., Nasimov, D., Kokh, K. & Rogilo, D., 8 авг. 2025, International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM. IEEE Computer Society, стр. 80-83 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  7. Direct Spin-Imaging Detector Based on Freestanding Magnetic Nanomembranes

    Tereshchenko, O. E., Bakin, V. V., Stepanov, S. A., Golyashov, V. A., Mikaeva, A. S., Kustov, D. A., Rusetsky, V. S., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Demin, A. Y., 18 апр. 2025, в: Physical Review Letters. 134, 15, 157002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Surface Fermi level tuning in thin epitaxial BiySb2−yTe3−xSex/Si(111) films

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Bazhenov, A. O., Ishchenko, D. V., Kumar, N., Shumilin, A. V. & Tereshchenko, O. E., 2025, в: Applied Physics Letters. 126, 22, 223102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. 2024

  10. Atomic Layer Deposition Synthesis of thin Films of Vanadium Oxides in a Reducing Hydrogen Atmosphere

    Voloshin, B. V., Seleznev, V. A. & Golyashov, V. A., окт. 2024, в: Journal of Structural Chemistry. 65, 10, стр. 2073-2087 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Interfacing two-dimensional and magnetic topological insulators: Bi bilayer on MnBi2Te4-family materials

    Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Filnov, S. O., Shimada, K., Golyashov, V. A., Solovova, N. Y., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Stolyarov, V. S., Trontl, V. M., Petaccia, L., Di Santo, G., Tallarida, M., Dai, J., Blanco-Canosa, S., Valla, T., Shikin, A. M., еще 1Chulkov, E. V., авг. 2024, в: Materials Today Advances. 23, 9 стр., 100511.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Probing the interaction between topological and Rashba-like surface states in MnBi2⁢Te4 through Sn doping

    Tarasov, A. V., Estyunin, D. A., Rybkin, A. G., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Eryzhenkov, A. V., Anferova, V. V., Estyunina, T. P., Glazkova, D. A., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Ideta, S., Miyai, Y., Kumar, Y., Shimada, K. & Shikin, A. M., 10 апр. 2024, в: Physical Review B. 111, 16, 165115.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

    Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Emergence of quasi-1D spin-polarized states in ultrathin Bi films on InAs(111)A for spintronics applications

    Mihalyuk, A. N., Bondarenko, L. V., Tupchaya, A. Y., Gruznev, D. V., Solovova, N. Y., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Okuda, T., Kimura, A., Eremeev, S. V., Zotov, A. V. & Saranin, A. A., 18 янв. 2024, в: Nanoscale. 16, 3, стр. 1272-1281 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 2023

  18. Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

    Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

    Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. 2022

  22. Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)2Te3Crystal Doped with Mn

    Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Mixed Type of the Magnetic Order in Intrinsic Magnetic Topological Insulators Mn(Bi,Sb)2Te4

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Rybkina, A. A., Golovchanskiy, I. A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Shchetinin, I. V., Golyashov, V. A. & Shikin, A. M., 1 дек. 2022, в: JETP Letters. 116, 11, стр. 817-824 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Erratum to: Several Articles in JETP Letters (JETP Letters, (2022), 115, 5, (292-296), 10.1134/S0021364022100162)

    Nizamov, B. A., Pshirkov, M. S., Maydykovskiy, A. I., Mamonov, E. A., Mitetelo, N. V., Soria, S., Murzina, T. V., Shvetsov, O. O., Barash, Y. S., Timonina, A. V., Kolesnikov, N. N., Deviatov, E. V., Volovik, G. E., Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., еще 8Koroleva, A. V., Shikin, A. M., Sukhanova, E. V., Kvashnin, A. G., Agamalyan, M. A., Zakaryan, H. A., Popov, Z. I. & Lunkin, A. V., нояб. 2022, в: JETP Letters. 116, 9, стр. 657-659 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  25. New Spin-Polarized Electron Source Based on Alkali Antimonide Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Eremeev, S. V., Kustov, D. A., Rusinov, I. P., Shamirzaev, T. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., 14 окт. 2022, в: Physical Review Letters. 129, 16, 166802.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Bi2Se3Nanolayer Growth on 2D Printed Graphene

    Antonova, I. V., Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Suprun, E. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 сент. 2022, в: Crystal Growth and Design. 22, 9, стр. 5335-5344 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Preparation of an Atomically Clean and Structurally Ordered Bi2Se3 (0001) Surface without Molecular Beams and Vacuum Cleaving

    Tarasov, A. S., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kozhukhov, A. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., июн. 2022, в: Russian Journal of Physical Chemistry B. 16, 3, стр. 479-482 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Electronic Structure of Magnetic Topological Insulators Mn(Bi1 –xSb x)2Te4 with Various Concentration of Sb Atoms

    Glazkova, D. A., Estyunin, D. A., Klimovskikh, I. I., Makarova, T. P., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Koroleva, A. V. & Shikin, A. M., мар. 2022, в: JETP Letters. 115, 5, стр. 286-291 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. Structural, optical and electronic properties of the wide bandgap topological insulator Bi1.1Sb0.9Te2S

    Khatchenko, Y. E., Yakushev, M. V., Seibel, C., Bentmann, H., Orlita, M., Golyashov, V., Ponosov, Y. S., Stepina, N. P., Mudriy, A. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Reinert, F., Martin, R. W. & Kuznetsova, T. V., 15 янв. 2022, в: Journal of Alloys and Compounds. 890, 161824.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  30. Weak antilocalization to weak localization transition in Bi2Se3 films on graphene

    Stepina, N. P., Golyashov, V. A., Nenashev, A. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Kirienko, V. V., Koptev, E. S., Goldyreva, E. S., Rybin, M. G., Obraztsova, E. D. & Antonova, I. V., янв. 2022, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 135, 114969.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  31. 2021

  32. Surface chemical treatment effect on (1 1 1) PbSnTe < In > Topological crystalline insulator films

    Tarasov, A. S., Ishchenko, D. V., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Suprun, S. P., Fedosenko, E. V., Sherstyakova, V. N., Rybkin, A. G., Vilkov, O. Y. & Tereshchenko, O. E., 15 дек. 2021, в: Applied Surface Science. 569, 150930.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Band gap opening in the BiSbTeSe2 topological surface state induced by ferromagnetic surface reordering

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Shikin, A. M., Okotrub, A. V., Lavrov, A. N., Schwier, E. F. & Tereshchenko, O. E., дек. 2021, в: Physical Review Materials. 5, 12, 124204.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Photoemission Properties of a Multialkali Photocathode

    Rusetsky, V. S., Golyashov, V. A., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Tereshchenko, O. E., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 505-510 6 стр., 8.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Topology of PbSnTe:In Layers Versus Indium Concentration

    Ishchenko, D. V., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Loginov, A. B., Loginov, B. A., Pashchin, N. S., Tarasov, A. S., Fedosenko, E. V. & Sherstyakova, V. N., июл. 2021, в: Technical Physics. 66, 7, стр. 878-882 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. A new imaging concept in spin polarimetry based on the spin-filter effect

    Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Mironov, A. V., Demin, A. Y. & Aksenov, V. V., 1 мая 2021, в: Journal of Synchrotron Radiation. 28, стр. 864-875 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  38. 2020

  39. Change of the topological surface states induced by ferromagnetic metals deposited on BiSbTeSe2

    Kaveev, A. K., Terpitskiy, A. N., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Estyunin, D. A., Shikin, A. M. & Schwier, E. F., 17 дек. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1697, 1, 012095.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  40. Spectral detection of spin-polarized ultra low-energy electrons in semiconductor heterostructures

    Golyashov, V. A., Rusetsky, V. S., Shamirzaev, T. S., Dmitriev, D. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 1 нояб. 2020, в: Ultramicroscopy. 218, 8 стр., 113076.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  41. Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  43. Structure and magneto-electric properties of Co-based ferromagnetic films grown on the Pb0.71Sn0.29Te crystalline topological insulator

    Kaveev, A. K., Golyashov, V. A., Klimov, A. E., Schwier, E. F., Suturin, S. M., Tarasov, A. S. & Tereshchenko, O. E., 15 янв. 2020, в: Materials Chemistry and Physics. 240, 5 стр., 122134.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  44. Electrochemically exfoliated thin Bi2Se3 films and van der Waals heterostructures Bi2Se3/graphene

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Kokh, K. A., Kustov, D. A., Soots, R. A., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., 7 янв. 2020, в: Nanotechnology. 31, 12, 7 стр., 125602.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  45. 2019

  46. Structural transformation of the BiSbTeSe2 topological insulator during Co laser MBE deposition

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 11 дек. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1400, 5, 4 стр., 055016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  47. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  48. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  49. 2018

  50. Enhanced surface state protection and band gap in the topological insulator PbBi4 Te4 S3

    Sumida, K., Natsumeda, T., Miyamoto, K., Silkin, I. V., Kuroda, K., Shirai, K., Zhu, S., Taguchi, K., Arita, M., Fujii, J., Varykhalov, A., Rader, O., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Okuda, T. & Kimura, A., 1 окт. 2018, в: Physical Review Materials. 2, 10, 8 стр., 104201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  51. Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

    Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  52. Spin and electronic structure of the topological insulator Bi1.5Sb0.5Te1.8Se1.2

    Filianina, M. V., Klimovskikh, I. I., Shvets, I. A., Rybkin, A. G., Petukhov, A. E., Chulkov, E. V., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Polley, C., Balasubramanian, T., Leandersson, M. & Shikin, A. M., 1 мар. 2018, в: Materials Chemistry and Physics. 207, стр. 253-258 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3434138