Atomic Layer Deposition Synthesis of thin Films of Vanadium Oxides in a Reducing Hydrogen Atmosphere

Voloshin, B. V., Seleznev, V. A. & Golyashov, V. A., окт. 2024, в: Journal of Structural Chemistry. 65, 10, стр. 2073-2087 15 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Na2KSb/CsxSb interface engineering for high-efficiency photocathodes

Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Rusetsky, V. S., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Demin, A. Y., Scheibler, H. E., Alperovich, V. L. & Tereshchenko, O. E., 2 авг. 2024, в: Physical Review Applied. 22, 2, 024008.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interfacing two-dimensional and magnetic topological insulators: Bi bilayer on MnBi2Te4-family materials

Klimovskikh, I. I., Eremeev, S. V., Estyunin, D. A., Filnov, S. O., Shimada, K., Golyashov, V. A., Solovova, N. Y., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., Frolov, A. S., Sergeev, A. I., Stolyarov, V. S., Trontl, V. M., Petaccia, L., Di Santo, G., Tallarida, M., Dai, J., Blanco-Canosa, S., Valla, T., Shikin, A. M., еще 1Chulkov, E. V., авг. 2024, в: Materials Today Advances. 23, 9 стр., 100511.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Formation of well-ordered surfaces of Bi2-xSbxTe3-ySey topological insulators using wet chemical treatment

Tarasov, A. S., Kumar, N., Golyashov, V. A., Akhundov, I. O., Ishchenko, D. V., Kokh, K. A., Bazhenov, A. O., Stepina, N. P. & Tereshchenko, O. E., 15 мар. 2024, в: Applied Surface Science. 649, 9 стр., 159122.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron and hole bipolar injection in magnesium oxide films

Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Zalyalov, T. M., Gismatulin, A. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Gorshkov, D. V. & Gritsenko, V. A., 6 февр. 2024, в: Applied Physics Letters. 124, 4, 042903.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Emergence of quasi-1D spin-polarized states in ultrathin Bi films on InAs(111)A for spintronics applications

Mihalyuk, A. N., Bondarenko, L. V., Tupchaya, A. Y., Gruznev, D. V., Solovova, N. Y., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Okuda, T., Kimura, A., Eremeev, S. V., Zotov, A. V. & Saranin, A. A., 18 янв. 2024, в: Nanoscale. 16, 3, стр. 1272-1281 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Transport properties of (Bi, Sb)2Te3 topological insulator crystals with lateral p-n junction

Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., дек. 2023, в: Physical Review Materials. 7, 12, 9 стр., 124204.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Topological Phase Transitions Driven by Sn Doping in (Mn1−xSnx)Bi2Te4

Tarasov, A. V., Makarova, T. P., Estyunin, D. A., Eryzhenkov, A. V., Klimovskikh, I. I., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Shikin, A. M., февр. 2023, в: Symmetry. 15, 2, 469.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Ferromagnetic Layers in a Topological Insulator (Bi,Sb)₂Te₃Crystal Doped with Mn

Frolov, A. S., Usachov, D. Y., Fedorov, A. V., Vilkov, O. Y., Golyashov, V., Tereshchenko, O. E., Bogomyakov, A. S., Kokh, K., Muntwiler, M., Amati, M., Gregoratti, L., Sirotina, A. P., Abakumov, A. M., Sánchez-Barriga, J. & Yashina, L. V., 27 дек. 2022, в: ACS Nano. 16, 12, стр. 20831-20841 11 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование