Shubnikov-de Haas oscillations in p and n-type topological insulator (Bi_xSb_1-x)₂Te₃

Akiyama, R., Sumida, K., Ichinokura, S., Nakanishi, R., Kimura, A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E. & Hasegawa, S., 6 июн. 2018, в: Journal of Physics Condensed Matter. 30, 26, 8 стр., 265001.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta₂O₅: Ab Initio Simulation

Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Thermopower of a Two-Dimensional Semimetal in a HgTe Quantum Well

Gusev, G. M., Olshanetsky, E. B., Kvon, Z. D., Magarill, L. I., Entin, M. V., Levin, A. & Mikhailov, N. N., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 789-793 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂

Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electronic and spin structure of the wide-band-gap topological insulator: Nearly stoichiometric Bi2 Te2 S

Annese, E., Okuda, T., Schwier, E. F., Iwasawa, H., Shimada, K., Natamane, M., Taniguchi, M., Rusinov, I. P., Eremeev, S. V., Kokh, K. A., Golyashov, V. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V. & Kimura, A., 10 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 6 стр., 205113.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Enhanced photovoltage on the surface of topological insulator via optical aging

Yoshikawa, T., Ishida, Y., Sumida, K., Chen, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Shin, S. & Kimura, A., 7 мая 2018, в: Applied Physics Letters. 112, 19, 4 стр., 192104.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Influence of quantizing magnetic field and Rashba effect on indium arsenide metal-oxide-semiconductor structure accumulation capacitance

Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Tsarenko, A. V., Nastovjak, A. E., Pogosov, A. G., Pokhabov, D. A., Tereshchenko, O. E. & Valisheva, N. A., 7 мая 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 17, 6 стр., 173901.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Bielectron Formed in a 2D System by the Spin–Orbit Interaction and Image Forces

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2018, в: JETP Letters. 107, 9, стр. 564-568 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Thermal Smoothing and Roughening of GaAs Surfaces: Experiment and Monte Carlo Simulation

Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Alperovich, V. L., Shwartz, N. L., Kozhukhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 618-621 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование