161 - 180 из 408Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. On-chip Piezoelectric Actuation of Nanomechanical Resonators Containing a Two-dimensional Electron Gas

    Shevyrin, A. A., Bakarov, A. K., Shklyaev, A. A., Arakcheev, A. S., Kurosu, M., Yamaguchi, H. & Pogosov, A. G., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 4, стр. 261-265 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Plasmon Enhancement of the Electric Field in Mid-Infrared Ge/Si Quantum-Dot Photodetectors with Different Thicknesses of the Active Region

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2019, в: Semiconductors. 53, 2, стр. 195-199 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Polaron Shift of the Levels of a Quantum Wire in a Hybrid Structure with a Bose—Einstein Condensate

    Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 февр. 2019, в: JETP Letters. 109, 3, стр. 198-202 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Fizika Nizkikh Temperatur. 45, 2, стр. 185-191 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Spin splitting of surface states in HgTe quantum wells

    Dobretsova, A. A., Kvon, Z. D., Krishtopenko, S. S., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 февр. 2019, в: Low Temperature Physics. 45, 2, стр. 159-164 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V., Kryzhanovskaya, N. V., Moiseev, E. I., Radnatarov, D. A., Khripunov, S. A., Utkin, D. E., Chistokhin, I. B., Latyshev, A. V. & Dultsev, F. N., 28 февр. 2019, в: Thin Solid Films. 672, стр. 109-113 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Identification of the nature of traps involved in the field cycling of Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric thin films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Pustovarov, V. A., Orlov, O. M., Chernikova, A. G., Markeev, A. M., Slesazeck, S., Schroeder, U., Mikolajick, T. & Krasnikov, G. Y., 1 мар. 2019, в: Acta Materialia. 166, стр. 47-55 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

    Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

    Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Conduction mechanisms of TaN/HfO x /Ni memristors

    Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

    Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  15. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  16. Erratum to: Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction (Journal of Experimental and Theoretical Physics, (2018), 127, 6, (1130-1135), 10.1134/S1063776118120075)

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128, 5, стр. 816-816 1 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

  17. The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

    Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Topological surface states in thick partially relaxed HgTe films

    Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Vasilev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kolesnikov, A. V., 14 мая 2019, в: Physical Review B. 99, 19, 7 стр., 195423.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...5 6 7 8 9 10 11 12 ...21 Далее

ID: 3084764