1 - 20 из 229Размер страницы: 20
Сортировать по:: Заголовок

  1. Activation conductivity in HgTe/CdHgTe quantum wells at integer Landau level filling factors: Role of the random potential

    Bovkun, L. S., Ikonnikov, A. V., Aleshkin, V. Y., Krishtopenko, S. S., Antonov, A. V., Spirin, K. E., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Gavrilenko, V. I., 1 дек. 2017, в: Semiconductors. 51, 12, стр. 1562-1570 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Activation transport under quantum Hall regime in HgTe-based heterostructure

    Gudina, S. V., Neverov, V. N., Novik, E. G., Ilchenko, E. V., Harus, G. I., Shelushinina, N. G., Podgornykh, S. M., Yakunin, M. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 485-490 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K. & Zhuravlev, K. S., февр. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 2, стр. 139-142 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. A method for fabricating the ordered arrays of silicon nanopillars

    Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V. & Dultsev, F. N., 1 янв. 2017, в: Materials Today: Proceedings. 4, 11, стр. 11341-11345 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Analysis of the surface functional groups of organic nanoparticles formed in furfural vapour photonucleation using a rupture event scanning technique

    Dultseva, G. G., Dubtsov, S. N., Dultsev, F. N., Kobzeva, T. V. & Nekrasov, D. V., 28 сент. 2017, в: Analytical Methods. 9, 36, стр. 5348-5355 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. An Instrument for Highly Specific Detection of Biomarkers on a Quartz Resonator

    Dultsev, F. N., Nekrasov, D. V., Kolosovsky, E. A., Gusachenko, A. V., Moiseev, A. A. & Vasilev, V. V., 1 янв. 2019, в: Instruments and Experimental Techniques. 62, 1, стр. 78-84 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Anisotropy of the in-plane g-factor of electrons in HgTe quantum wells

    Minkov, G. M., Ya Aleshkin, V., Rut, O. E., Sherstobitov, A. A., Dvoretski, S. A., Mikhailov, N. N. & Germanenko, A. V., 15 февр. 2020, в: Physical Review B. 101, 8, 9 стр., 085305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Anomalous Decay of Quantum Resistance Oscillations of 2D Helical Electrons in Magnetic Field

    Abedi, S., Vitkalov, S. A., Mikhailov, N. N. & Kvon, Z. D., 12 мая 2020, в: Scientific Reports. 10, 1, 14 стр., 7875.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation

    Kurus, N. N., Dultsev, F. N., Golyshev, V. M., Nekrasov, D. V., Pyshnyi, D. V. & Lomzov, A. A., 14 авг. 2020, в: Analytical Methods. 12, 30, стр. 3771-3777 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Atomic and electronic structure of ferroelectric La-doped HfO2 films

    Perevalov, T. V., Gutakovskii, A. K., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2019, в: Materials Research Express. 6, 3, 7 стр., 036403.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Atomic and Electronic Structures of Metal-Rich Noncentrosymmetric ZrOx

    Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K. & Prosvirin, I. P., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 4, стр. 226-230 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Ballistic geometric resistance resonances in a single surface of a topological insulator

    Maier, H., Ziegler, J., Fischer, R., Kozlov, D., Kvon, Z. D., Mikhailov, N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 8 дек. 2017, в: Nature Communications. 8, 1, 6 стр., 2023.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Band structure of a two-dimensional Dirac semimetal from cyclotron resonance

    Shuvaev, A. M., Dziom, V., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Shao, Y., Basov, D. N. & Pimenov, A., 12 окт. 2017, в: Physical Review B. 96, 15, 7 стр., 155434.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Bielectron Formed in a 2D System by the Spin–Orbit Interaction and Image Forces

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2018, в: JETP Letters. 107, 9, стр. 564-568 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 дек. 2018, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 127, 6, стр. 1130-1135 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...12 Далее

ID: 3083697