1. 2024
  2. Resonance Raman Scattering of Topological Insulators Bi2Te3 and Bi2 − xSbxTe3 − ySey Thin Films

    Kumar, N., Surovtsev, N. V., Ishchenko, D. V., Yunin, P. A., Milekhin, I. A., Tereshchenko, O. E. & Milekhin, A. G., 26 нояб. 2024, в: Journal of Raman Spectroscopy. 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Preparation of C12A7 nanoparticles by laser vaporization and their phase transformations during thermal treatment

    Kapishnikov, A., Snytnikov, V., Gerasimov, E., Volodin, V., Volodin, A. & Geydt, P., 22 нояб. 2024, (Электронная публикация перед печатью) в: Ceramics International. 51, 3, стр. 3675-3681 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Polarization-resolved resonant Raman excitation of surface and bulk electronic bands and phonons in MBE-grown topological insulator thin films

    Kumar, N., Ishchenko, D. V., Milekhin, I. A., Yunin, P. A., Kyrova, E. D., Korsakov, A. V. & Tereshchenko, O. E., 5 нояб. 2024, в: Physical Chemistry Chemical Physics. 26, 46, стр. 29036-29047 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Способ создания фоточувствительной поверхностно-барьерной структуры

    Володин, В. А., Камаев, Г. Н. & Хамуд Гайсаа Аббас, 5 нояб. 2024, Роспатент - Федеральная служба по интеллектуальной собственности, Патент/Св-во № 2829701, 18 июл. 2024, Дата приоритета 18 июл. 2024, № приоритета 2024120173

    Результаты исследований: Патенты/Свидетельства о регистрациипатент на изобретение

  6. Electronic state back action on mechanical motion in a quantum point contact coupled to a nanomechanical resonator

    Шевырин, А. А., Бакаров, А. К., Шкляев, А. А. & Погосов, А. Г., 4 нояб. 2024, в: Applied Physics Letters. 125, 19, 192105.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Methyl Methacrylate Copolymer with Pendant Thioxanthenone Groups as Active Layer for Resistive Memory Devices

    Odintsov, D. S., Gismatulin, A. A., Shundrina, I. K., Buktoyarova, A. D., Os'kina, I. A., Beckmann, J., Azarov, I. A., Dementeva, E. V., Shundrin, L. A. & Gritsenko, V. A., 4 нояб. 2024, в: ChemPhysChem. 25, 21, стр. e202400266 e202400266.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Effect of the amorphous germanium film thickness on the process of gold-induced crystallization

    Zamchiy, A. O., Nepomnyashchikh, V. A., Konstantinov, V. O., Starinskaya, E. M., Volodin, V. A. & Baranov, E. A., нояб. 2024, в: Thermophysics and Aeromechanics. 31, 6, стр. 1271-1276 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Microstructural and chemical effects of the argon cluster bombardment on a single crystal KGd(WO4)2 surface

    Коробейщиков, Н. Г., Николаев, И. В., Атучин, В. В., Герасимов, Е. Ю., Толстогузов, А. Б., Abudouwufu, T. & Fu, D., нояб. 2024, в: Applied Physics A: Materials Science and Processing. 130, 11, 9 стр., 842.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Change in the InSb nanocrystal growth direction at the Si/SiO2 interface during ion-beam synthesis

    Tyschenko, I., Gutakovskii, A., Zhang, R., Vdovin, V., Volodin, V. & Popov, V., 15 окт. 2024, в: Materials Letters. 373, 3 стр., 137114.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Formation of Germanium Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in GeO[SiO] and GeO[SiO2] Films Using Electron Beam Annealing

    Konstantinov, V. O., Baranov, E. A., Fan, Z., Shchukin, V. G., Zamchiy, A. O. & Volodin, V. A., 18 сент. 2024, в: Technical Physics. 69, 4, стр. 898-905 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 24342938