11 - 20 из 241Размер страницы: 10
Сортировать по:: Тип
  1. статья › научная › Прошло рецензирование

  2. Charge Photogeneration in Composites of Fluorinated Carbon Nanotubes and Semiconducting Polymer P3HT

    Kobeleva, E. S., Nevostruev, D. A., Krivenko, O. L., Uvarov, M. N., Gurova, O. A., Lobiak, E. V., Berezin, A. S., Zinovyev, V. A., Utkin, D. E., Degtyarenko, K. M. & Kulik, L. V., дек. 2020, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 257, 12, 8 стр., 2000161.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride

    Orlov, O. M., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A. & Mizginov, D. S., 1 сент. 2020, в: Russian Microelectronics. 49, 5, стр. 372-377 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge transport mechanism in La:HfO2

    Gritsenko, V. A. & Gismatulin, A. A., 5 окт. 2020, в: Applied Physics Letters. 117, 14, 4 стр., 142901.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Charge transport mechanism in periodic mesoporous organosilica low- k dielectric

    Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., 19 авг. 2019, в: Applied Physics Letters. 115, 8, 5 стр., 082904.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Charge transport mechanism in the metal-nitride-oxide-silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Mizginov, D. S. & Krasnikov, G. Y., 18 мая 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 20, 5 стр., 203502.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Comparative study of electron-beam crystallization of amorphous hafnium oxides HfO2 and HfO x (x = 1.82)

    Gerasimova, A. K., Aliev, V. S., Krivyakin, G. K. & Voronkovskii, V. A., июл. 2020, в: SN Applied Sciences. 2, 7, 7 стр., 1273.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Comparison of structures of gold nanoparticles synthesized by pulsed laser ablation and magnetron sputtering

    Starinskiy, S. V., Sulyaeva, V. S., Shukhov, Y. G., Cherkov, A. G., Timoshenko, N. I., Bulgakov, A. V. & Safonov, A. I., 1 дек. 2017, в: Journal of Structural Chemistry. 58, 8, стр. 1581-1587 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Controlling excitons in the quantum tunneling regime in a hybrid plasmonic/2D semiconductor interface

    Ferrera, M., Rahaman, M., Sanders, S., Pan, Y., Milekhin, I., Gemming, S., Alabastri, A., Bisio, F., Canepa, M. & Zahn, D. R. T., 2022, в: Applied Physics Reviews. 9, 031401

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...25 Далее

ID: 10000229