Standard

Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. / Богословцева, Алена Леонидовна; Капишников, Александр Владимирович; Гейдт, Павел Викторович.

Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023). Омск, 2023. стр. 247-248.

Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Harvard

Богословцева, АЛ, Капишников, АВ & Гейдт, ПВ 2023, Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. в Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023). Омск, стр. 247-248, VII Международная научно-техническая конференция «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023), Омск, Российская Федерация, 04.10.2023.

APA

Богословцева, А. Л., Капишников, А. В., & Гейдт, П. В. (2023). Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. в Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023) (стр. 247-248).

Vancouver

Богословцева АЛ, Капишников АВ, Гейдт ПВ. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. в Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023). Омск. 2023. стр. 247-248

Author

Богословцева, Алена Леонидовна ; Капишников, Александр Владимирович ; Гейдт, Павел Викторович. / Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов. Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023). Омск, 2023. стр. 247-248

BibTeX

@inproceedings{453374373e014b5090ea30d833b676ab,
title = "Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов",
abstract = "Исследованы слои AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления постоянного тока. Показано, что температура напыления слоя алюминия влияет на структуру осаждаемого на него слоя нитрида алюминия. Осаждение алюминия на кремний без нагрева подложки позволяет осаждать на нем хорошо текстурированный нитрид алюминия.",
author = "Богословцева, {Алена Леонидовна} and Капишников, {Александр Владимирович} and Гейдт, {Павел Викторович}",
note = "Богословцева, А. Л. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов / А. Л. Богословцева, А. В. Капишников, П. В. Гейдт // Радиотехника, электроника и связь : тезисы докладов VII Международной научно-технической конференции, Омск, 04–06 октября 2023 года. – Омск: Омский научно-исследовательский институт приборостроения, 2023. – С. 247-248. – EDN JHBXDZ.; VII Международная научно-техническая конференция «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023) ; Conference date: 04-10-2023 Through 06-10-2023",
year = "2023",
language = "русский",
isbn = "978-5-6046517-7-3",
pages = "247--248",
booktitle = "Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023)",
url = "http://www.oniip.ru/nauka/vii-mezhdunarodnaya-nauchno-tekhnicheskaya-konferentsiya-radiotekhnika-elektronika-i-svyaz/",

}

RIS

TY - GEN

T1 - Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов

AU - Богословцева, Алена Леонидовна

AU - Капишников, Александр Владимирович

AU - Гейдт, Павел Викторович

N1 - Богословцева, А. Л. Получение пленок AlN/Al на Si методом импульсного магнетронного распыления для активного слоя ОАВ-резонаторов / А. Л. Богословцева, А. В. Капишников, П. В. Гейдт // Радиотехника, электроника и связь : тезисы докладов VII Международной научно-технической конференции, Омск, 04–06 октября 2023 года. – Омск: Омский научно-исследовательский институт приборостроения, 2023. – С. 247-248. – EDN JHBXDZ.

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Исследованы слои AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления постоянного тока. Показано, что температура напыления слоя алюминия влияет на структуру осаждаемого на него слоя нитрида алюминия. Осаждение алюминия на кремний без нагрева подложки позволяет осаждать на нем хорошо текстурированный нитрид алюминия.

AB - Исследованы слои AlN/Al, осажденные на кремниевой подложке методом импульсного магнетронного распыления постоянного тока. Показано, что температура напыления слоя алюминия влияет на структуру осаждаемого на него слоя нитрида алюминия. Осаждение алюминия на кремний без нагрева подложки позволяет осаждать на нем хорошо текстурированный нитрид алюминия.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=59994727&pff=1

M3 - статья в сборнике материалов конференции

SN - 978-5-6046517-7-3

SP - 247

EP - 248

BT - Сборник тезисов VII Международной научно-технической конференции «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023)

CY - Омск

T2 - VII Международная научно-техническая конференция «Радиотехника, электроника и связь» (РЭиС-2023)

Y2 - 4 October 2023 through 6 October 2023

ER -

ID: 59546424