1. In situ reflection electron microscopy for investigation of surface processes on Bi2Se3(0001)

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Kurus, N. N., Basalaeva, L. S., Kokh, K. A., Milekhin, A. G., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 13 сент. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1984, 1, 012016.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  2. High-temperature indium adsorption on Bi2Se3(0001) surface studied by in situ reflection electron microscopy

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Nasimov, D. A., Kokh, K. A., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 15 февр. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 628, 127545.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Etching Kinetics of Si(111) Surface by Selenium Molecular Beam

    Ponomarev, S. A., Rogilo, D. I., Petrov, A. S., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 449-455 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Capture zone scaling in 2D Ge island nucleation on Si(111)-(7 × 7) at elevated temperatures

    Makeeva, A. A., Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2024, в: Journal of Crystal Growth. 647, 127873.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3486631