11 - 20 из 23Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. In situ spectroscopic ellipsometry for temperature control in molecular beam epitaxy of HgCdTe

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Azarov, I. A., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., 1 дек. 2022, в: Journal of Crystal Growth. 599, 126898.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. In situ Ellipsometric Control of Growth Processes of ZnTe and CdTe Buffer Layers in Technology of Molecular Beam Epitaxy of Mercury Cadmium Telluride

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., янв. 2024, в: Semiconductors. 58, 1, стр. 67-72 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Energy Position of the Size Quantization Levels in Multiple HgCdTe Quantum Wells

    Mikhailov, N. N., Remesnik, V. G., Aleshkin, V. Y., Dvoretsky, S. A., Uzhakov, I. N. & Shvets, V. A., июн. 2023, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 87, 6, стр. 755-759 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Ellipsometric thermometry in molecular beam epitaxy of mercury cadmium telluride

    Marin, D. V., Shvets, V. A., Azarov, I. A., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., авг. 2021, в: Infrared Physics and Technology. 116, 103793.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Ellipsometric Method of Substrate Temperature Measurement in Low-Temperature Processes of Epitaxy of InSb Layers

    Shvets, V. A., Azarov, I. A., Rykhlitskii, S. V. & Toropov, A. I., 1 янв. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 1, стр. 8-15 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Ellipsometric Method for Measuring the CdTe Buffer-Layer Temperature in the Molecular-Beam Epitaxy of CdHgTe

    Shvets, V. A., Azarov, I. A., Marin, D. V., Yakushev, M. V. & Rykhlitsky, S. V., 1 янв. 2019, в: Semiconductors. 53, 1, стр. 132-137 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Ellipsometric In Situ Methods of Temperature Control in the Technology of Growing MBE MCT Layers

    Shvets, V. A., Marin, D. V., Azarov, I. A., Yakushev, M. V. & Rykhlitskii, S. V., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 476-484 9 стр., 5.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Dynamics of Growth of the Native Oxide of Cd xHg1−xTe

    Sidorov, G. Y., Shvets, V. A., Sidorov, Y. G. & Varavin, V. S., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 617-624 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Dispersion of the refractive index in high-k dielectrics

    Shvets, V. A., Kruchinin, V. N. & Gritsenko, V. A., 1 нояб. 2017, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 123, 5, стр. 728-732 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Determining the Compositional Profile of HgTe/Cd xHg1 – xTe Quantum Wells by Single-Wavelength Ellipsometry

    Shvets, V. A., Mikhailov, N. N., Ikusov, D. G., Uzhakov, I. N. & Dvoretskii, S. A., 1 авг. 2019, в: Optics and Spectroscopy. 127, 2, стр. 340-346 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 Далее

ID: 3456539