141 - 160 из 168Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Swift heavy ion stimulated formation of the Si quantum dots in Si/SiO 2 multilayer heterostructures

    Kamaev, G. N., Cherkova, S. G., Gismatulin, A. A., Volodin, V. A. & Skuratov, V. A., 1 янв. 2019, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018. Lukichev, V. F. & Rudenko, K. V. (ред.). The International Society for Optical Engineering, Том 11022. стр. 71 6 стр. 1102213. (Proceedings of SPIE; том 11022).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. 2018

  4. Raman shifts and photoluminescence of the InSb nanocrystals ion beam-synthesized in buried SiO2 layers

    Tyschenko, I. E., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Stoffel, M., Rinnert, H., Vergnat, M. & Popov, V. P., 1 дек. 2018, в: Journal of Luminescence. 204, стр. 656-662 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Aluminum-induced crystallization of silicon suboxide thin films

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Khmel, S. Y., Volodin, V. A., Vdovin, V. I. & Gutakovskii, A. K., 1 сент. 2018, в: Applied Physics A: Materials Science and Processing. 124, 9, 4 стр., 646.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. On the Formation of IR-Light-Emitting Ge Nanocrystals in Ge: SiO2 Films

    Volodin, V. A., Rui, Z., Krivyakin, G. K., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1178-1187 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Nanoscale potential fluctuations in nonstoichiometrics tantalum oxide

    Gritsenko, V. A., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Prosvirin, I. P., 15 авг. 2018, в: Nanotechnology. 29, 42, стр. 425202 9 стр., 425202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Nanostructuring few-layer graphene films with swift heavy ions for electronic application: Tuning of electronic and transport properties

    Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Erohin, S. V., Kvashnin, D. G., Olejniczak, A., Volodin, V. A., Skuratov, A. V., Krasheninnikov, A. V., Sorokin, P. B. & Chernozatonskii, L. A., 14 авг. 2018, в: Nanoscale. 10, 30, стр. 14499-14509 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Atomic and Electronic Structures of Metal-Rich Noncentrosymmetric ZrOx

    Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K. & Prosvirin, I. P., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 4, стр. 226-230 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Raman scattering in boron doped nanocrystalline diamond films: Manifestation of Fano interference and phonon confinement effect

    Volodin, V. A., Mortet, V., Taylor, A., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 авг. 2018, в: Solid State Communications. 276, стр. 33-36 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. On Raman scattering cross section ratio of crystalline and microcrystalline to amorphous silicon

    Zhigunov, D. M., Kamaev, G. N., Kashkarov, P. K. & Volodin, V. A., 9 июл. 2018, в: Applied Physics Letters. 113, 2, 4 стр., 023101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Effect of annealing in oxidizing atmosphere on optical and structural properties of silicon suboxide thin films obtained by gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Merkulova, I. E., Volodin, V. A., Sharafutdinov, M. R. & Khmel, S. Y., 1 июн. 2018, в: Vacuum. 152, стр. 319-326 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Gritsenko, V. A., 1 июн. 2018, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 124, 6, стр. 808-813 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

    Volodin, V. A., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мая 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 5, стр. 424-427 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. 2017

  20. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  23. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...4 5 6 7 8 9 Далее

ID: 3443008