1. Formation of Germanium Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in GeO[SiO] and GeO[SiO2] Films Using Electron Beam Annealing

    Konstantinov, V. O., Baranov, E. A., Fan, Z., Shchukin, V. G., Zamchiy, A. O. & Volodin, V. A., 18 сент. 2024, в: Technical Physics. 69, 4, стр. 898-905 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Formation of germanium nanocrystals and amorphous nanoclusters in GeSiOx films using electron beam annealing

    Zhang, F., Volodin, V. A., Baranov, E. A., Konstantinov, V. O., Shchukin, V. G., Zamchiy, A. O. & Vergnat, M., мар. 2022, в: Vacuum. 197, 110796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Formation of light-emitting defects in silicon by swift heavy ion irradiation and subsequent annealing

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Skuratov, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., февр. 2023, в: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 535, стр. 132-136 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Formation of SnO and SnO2 phases during the annealing of SnO(x) films obtained by molecular beam epitaxy

    Nikiforov, A., Timofeev, V., Mashanov, V., Azarov, I., Loshkarev, I., Volodin, V., Gulyaev, D., Chetyrin, I. & Korolkov, I., 15 мая 2020, в: Applied Surface Science. 512, 7 стр., 145735.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Gold-Induced Crystallization of Thin Films of Amorphous Silicon Suboxide

    Lunev, N. A., Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Merkulova, I. E., Konstantinov, V. O., Korolkov, I. V., Maximovskiy, E. A. & Volodin, V. A., окт. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 10, стр. 726-729 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Graphene/Hexagonal Boron Nitride Composite Nanoparticles for 2D Printing Technologies

    Antonova, I. V., Shavelkina, M. B., Poteryaev, D. A., Nebogatikova, N. A., Ivanov, A. I., Soots, R. A., Gutakovskii, A. K., Kurkina, I. I., Volodin, V. A., Katarzhis, V. A., Ivanov, P. P. & Bocharov, A. N., мар. 2022, в: Advanced Engineering Materials. 24, 3, 2100917.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Growth of Bi2Se3/graphene heterostructures with the room temperature high carrier mobility

    Antonova, I. V., Nebogatikova, N. A., Stepina, N. P., Volodin, V. A., Kirienko, V. V., Rybin, M. G., Obrazstova, E. D., Golyashov, V. A., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., мая 2021, в: Journal of Materials Science. 56, 15, стр. 9330–9343 14 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Growth of Silicene by Molecular Beam Epitaxy on CaF2/Si(111) Substrates Modified by Electron Irradiation

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Katsyuba, A. V., Volodin, V. A., Muratov, V. I. & Dvurechenskii, A. V., мая 2024, в: JETP Letters. 119, 9, стр. 703-707 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. High-Temperature PIN Diodes Based on Amorphous Hydrogenated Silicon-Carbon Alloys and Boron-Doped Diamond Thin Films

    Stuchlikova, T. H., Stuchlik, J., Remes, Z., Taylor, A., Mortet, V., Ashcheulov, P., Gregora, I., Krivyakin, G. & Volodin, V., 1 июн. 2020, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 257, 6, 6 стр., 1900247.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3443008