Fabrication of polycrystalline silicon thin films from a-SiOx via the inverted aluminum-induced layer exchange process › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.127086
Конечная издательская версия

A. O. Zamchiy
E. A. Baranov
E. A. Maximovskiy
V. A. Volodin
V. I. Vdovin
A. K. Gutakovskii
I. V. Korolkov

Язык оригинала	английский
Номер статьи	127086
Число страниц	4
Журнал	Materials Letters
Том	261
DOI	https://doi.org/10.1016/j.matlet.2019.127086
Состояние	Опубликовано - 15 февр. 2020

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 23001976