1. Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 февр. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 529, 4 стр., 119796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  2. Electronic structure of silicon oxynitride films grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition for memristor application

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Gismatulin, A. A., Cherkova, S. G., Prosvirin, I. P., Astankova, K. N. & Gritsenko, V. A., 15 дек. 2022, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 598, 8 стр., 121925.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Ellipsometry, Raman spectroscopy and SOI- nanowire biosensor in diagnosis of colorectalcancer

    Kruchinina, M. V., Prudnikova, Y. I., Kurilovich, S. A., Gromov, A. A., Kruchinin, V. N., Atuchin, V. V., Naumova, O. V., Spesivtsev, E. V., Volodin, V. A., Peltek, S. E., Shuvalov, G. V. & Generalov, V. M., 2017, в: Siberian Journal of Oncology. 16, 4, стр. 32-41 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Engineering of graphene flakes in the process of synthesis in DC plasma jets

    Antonova, I. V., Shavelkina, M. B., Ivanov, A. I., Nebogatikova, N. A., Soots, R. A. & Volodin, V. A., 10 нояб. 2022, в: Physical Chemistry Chemical Physics. 24, 46, стр. 28232-28241 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Enhanced InAs phase formation in the In+- and As+-implanted SiO2 films covered with Si3N4 layers

    Tyschenko, I., Si, Z., Volodin, V., Cherkova, S. & Popov, V., 1 мая 2023, в: Materials Letters. 338, 134041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Erratum to: Gold-Induced Crystallization of Thin Films of Amorphous Silicon Suboxide (Technical Physics Letters, (2021), 47, 10, (726-729), 10.1134/S1063785021070257)

    Lunev, N. A., Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Merkulova, I. E., Konstantinov, V. O., Korolkov, I. V., Maximovskiy, E. A. & Volodin, V. A., февр. 2022, в: Technical Physics Letters. 48, 2, стр. 95 1 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхкомментарий, выступлениеРецензирование

  7. Fabrication of polycrystalline silicon thin films from a-SiOx via the inverted aluminum-induced layer exchange process

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Maximovskiy, E. A., Volodin, V. A., Vdovin, V. I., Gutakovskii, A. K. & Korolkov, I. V., 15 февр. 2020, в: Materials Letters. 261, 4 стр., 127086.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Femtosecond Laser Annealing of Multilayer Thin-Film Structures Based on Amorphous Germanium and Silicon

    Kolchin, A. V., Shuleiko, D. V., Pavlikov, A. V., Zabotnov, S. V., Golovan, L. A., Presnov, D. E., Volodin, V. A., Krivyakin, G. K., Popov, A. A. & Kashkarov, P. K., 1 июн. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 6, стр. 560-563 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3443008