Electroluminescence of thin film p-i-n diodes based on a-SiC:H with integrated Ge nanoparticles › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1051/epjap/2020190253
Конечная издательская версия

Zdenek Remes
Jiri Stuchlik
The-ha Stuchlikova
Jaroslav Kupcik
Vincent Mortet
Andrew Taylor
Petr Ashcheulov
Vladimir Alekseevich Volodin

Язык оригинала	английский
Номер статьи	19025
Число страниц	6
Журнал	EPJ Applied Physics
Том	88
Номер выпуска	3
DOI	https://doi.org/10.1051/epjap/2020190253
Состояние	Опубликовано - 1 дек. 2019

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 23787246