131 - 140 из 192Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Short-range order and optical properties of thin GeOx films obtained by thermal evaporation of GeO and GeO2

    Hamoud, G., Samus, A., Matsynin, A., Komogortsev, S., Zhandun, V., Prosvirin, I., Astankova, K., Azarov, I., Geydt, P., Milekhin, I. & Volodin, V., 15 февр. 2026, в: Thin Solid Films. 836, 11 стр., 140869.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Silicon Nanocrystals and Amorphous Nanoclusters in SiOx and SiNx: Atomic, Electronic Structure, and Memristor Effects

    Володин, В. А., Гриценко, В. А., Гисматулин, А. А. & Chin, A., 8 июн. 2019, Nanocrystalline Materials. IntechOpen, стр. 1-23 23 стр. (Nanocrystalline Materials).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  3. Silicon oxides and silicon nitrides: Structure, properties and applications in memristors

    Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N. & Gritsenko, V. A., 1 янв. 2019, International Conference on Micro- and Nano-Electronics 2018. Lukichev, V. F. & Rudenko, K. V. (ред.). The International Society for Optical Engineering, Том 11022. стр. 33 8 стр. 1102212. (Proceedings of SPIE; том 11022).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. Single-shot selective femtosecond and picosecond infrared laser crystallization of an amorphous Ge/Si multilayer stack

    Volodin, V. A., Cheng, Y., Bulgakov, A. V., Levy, Y., Beránek, J., Nagisetty, S. S., Zukerstein, M., Popov, A. A. & Bulgakova, N. M., июн. 2023, в: Optics and Laser Technology. 161, стр. 10 109161.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers

    Volodin, V. A., Timofeev, V. A., Tuktamyshev, A. R. & Nikiforov, A. I., 1 мар. 2017, в: JETP Letters. 105, 5, стр. 327-331 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Structure of Germanium Monoxide Thin Films

    Astankova, K. N., Volodin, V. A. & Azarov, I. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1555-1560 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Study of localized phonon in ultrananocrystalline diamond films investigated by Raman spectroscopy

    Kumar, N., Kozakov, A. T., Panda, K., Nikolskii, A. V., Milekhin, I. A., Khamatdinov, E. U., Volodin, V. A., Goryainov, S. V. & Milekhin, A. G., дек. 2025, в: Diamond and Related Materials. 160, 20 стр., 112941.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Study of structural and optical properties of a dual-band material based on tin oxides and GeSiSn compounds

    Timofeev, V. A., Mashanov, V. I., Nikiforov, A. I., Loshkarev, I. D., Gulyaev, D. V., Volodin, V. A., Kozhukhov, A. S., Komkov, O. S., Firsov, D. D. & Korolkov, I. V., 30 янв. 2022, в: Applied Surface Science. 573, 151615.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Study of Structural Modification of Composites with Ge Nanoclusters by Optical and Electron Microscopy Methods

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2019, в: Semiconductors. 53, 16, стр. 2064-2067 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...10 11 12 13 14 15 16 17 ...20 Далее

ID: 3443008