Игорь Васильевич Осинных - Результаты исследований

11 - 16 из 16Размер страницы: 10

Сортировать по:: Заголовок

Features of Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –}_xN:Si-Structures
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., сент. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 9, стр. 692-695 4 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S. & Zhuravlev, K. S., мая 2024, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 17, 11, стр. 43-48 6 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped Al_xGa_1-xN:Si layers with Al content x > 0.5
Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Milakhin, D. S., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 1 июн. 2019, в: Japanese Journal of Applied Physics. 58, SC, 7 стр., 27.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped Al_xGa_1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5
Osinnykh, I. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012006.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование
Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band
Igor, O. V., Malin, T. V. & Zhuravlev, K. S., июн. 2023, в: St. Petersburg State Polytechnical University Journal: Physics and Mathematics. 16, 3, стр. 33-38 6 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
Amplified luminescence of heavily doped Al_xGa_1-xN structures under optical pumping
Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevskii, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2018, в: Quantum Electronics. 48, 3, стр. 215-221 7 стр.
Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3487138

Осинных, Игорь Васильевич

Features of Optical Gain in Heavily Doped Al xGa1 –xN:Si-Structures

Effect of growth temperature on photoluminescence properties of NH3-MBE grown GaN-on-Si layers

Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped AlxGa1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped AlxGa1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5

Determination of donor and acceptor concentrations in GaN using yellow photoluminescence band

Amplified luminescence of heavily doped AlxGa1-xN structures under optical pumping

Features of Optical Gain in Heavily Doped Al_xGa_{1 –}_xN:Si-Structures

Donor-acceptor pair emission via defects with strong electron-phonon coupling in heavily doped Al_xGa_1-xN:Si layers with Al content x > 0.5

Determination of the energy structure of recombination centers in heavily doped Al_xGa_1-xN: Si epitaxial layers with x > 0.5

Amplified luminescence of heavily doped Al_xGa_1-xN structures under optical pumping