1 - 10 из 18Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Зарастание N-полярных инверсионных доменов в слоях AlxGa1-xN с различной мольной долей алюминия

    Осинных, И. В., МАЛИН, Т. В., ГИЛИНСКИЙ, А. М., Протасов, Д. Ю. & Вдовин, В. И., 2025, в: Автометрия. 61, 6, стр. 59-66 8 стр., 7.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Transformation of N-Polar Inversion Domains from AlN Buffer Layers during the Growth of AlGaN Layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Kozhukhov, A. S., Ber, B. Y., Kazancev, D. Y. & Zhuravlev, K. S., июн. 2022, в: Semiconductors. 56, 6, стр. 352-359 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Stimulated emission in heavily doped Al0.68Ga0.32N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., дек. 2022, в: Journal of Luminescence. 252, 119392.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 янв. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 1, стр. 46-49 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Properties of intensive defect-related band in photoluminescence spectra of heavily doped AlxGa1-xN: Si layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F. & Zhuravlev, K. S., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 5 стр., 012071.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Overgrowth of N-Polar Inversion Domains in AlxGa1-xN Layers with Different Aluminum Content

    Осинных, И. В., Malin, T. V., Gilinsky, A. M., Протасов, Д. Ю. & Vdovin, V. I., дек. 2025, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 61, 6, стр. 729-736 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Optical Gain in Heavily Doped AlxGa1 – xN:Si Structures

    Bokhan, P. A., Zhuravlev, K. S., Zakrevsky, D. E., Malin, T. V., Osinnykh, I. V. & Fateev, N. V., 1 сент. 2019, в: Technical Physics Letters. 45, 9, стр. 951-954 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Optical gain and stimulated emission in optically pumped heavily doped Al0.74Ga0.26N:Si structures with external cavity

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., июл. 2020, в: Optical Materials. 105, 5 стр., 109879.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Nature of intensive defect-related broadband luminescence of heavily doped AlxGa1-xN: Si layers

    Osinnykh, I. V., Malin, T. V., Plyusnin, V. F., Zhuravlev, K. S., Ber, B. Y. & Kazantsev, D. Y., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 6 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Luminescence properties of heavily doped AlxGa1-xN/AlN films grown on sapphire substrate

    Bokhan, P. A., Fateev, N. V., Malin, T. V., Osinnykh, I. V., Zakrevsky, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 нояб. 2018, в: Journal of Luminescence. 203, стр. 127-134 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 3487138