1 - 7 из 7Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Searching Optimal Growth Parameters for HfO Applied by Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposition Method

    Krasnova, I. A., Gorshkov, D. V., Zakirov, E. R., Sidorov, G. Y. & Sabinina, I. V., 2022, Proceedings of the 2022 IEEE 23rd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2022. IEEE Computer Society, стр. 75-78 4 стр. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2022-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  4. 2020

  5. Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Study of the Density of Interface States at the Insulator/In0.52Al0.48As Interface

    Kovchavtsev, A. P., Aksenov, M. S., Nastov’yak, A. E., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y. & Dmitriev, D. V., 1 мая 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 5, стр. 469-472 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 2019

  8. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

    Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. 2017

  11. Evolution of the transverse and longitudinal energy distributions of electrons emitted from a GaAsP photocathode as a function of its degradation state

    Jones, L. B., Scheibler, H. E., Gorshkov, D. V., Terekhov, A. S., Militsyn, B. L. & Noakes, T. C. Q., 14 июн. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 22, 9 стр., 225703.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 3441760