Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers › Обзор исследований

DOI

https://doi.org/10.1063/5.0078405
Конечная издательская версия

M. S. Aksenov
N. A. Valisheva
D. V. Gorshkov
G. Y. Sidorov
I. P. Prosvirin
A. K. Gutakovskii

Язык оригинала	английский
Номер статьи	085301
Журнал	Journal of Applied Physics
Том	131
Номер выпуска	8
DOI	https://doi.org/10.1063/5.0078405
Состояние	Опубликовано - 28 февр. 2022

Предметные области OECD FOS+WOS

1.03 ФИЗИЧЕСКИЕ НАУКИ И АСТРОНОМИЯ

ID: 35635926