401 - 443 из 443Размер страницы: 100
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2017

  2. Thermodynamic and kinetic roughening: Monte Carlo simulation and experiment on GaAs

    Kazantsev, D. M., Akhundov, I. O., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 11 апр. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 816, 1, 5 стр., 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Spin-resolved band structure of heterojunction Bi-bilayer/3D topological insulator in the quantum dimension regime in annealed Bi2Te2.4Se0.6

    Klimovskikh, I. I., Sostina, D., Petukhov, A., Rybkin, A. G., Eremeev, S. V., Chulkov, E. V., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A. & Shikin, A. M., 5 апр. 2017, в: Scientific Reports. 7, стр. 45797 6 стр., 45797.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Quantum capacitance of a three-dimensional topological insulator based on HgTe

    Kozlov, D. A., Bauer, D., Ziegler, J., Fischer, R., Savchenko, M. L., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Weiss, D., 1 апр. 2017, в: Low Temperature Physics. 43, 4, стр. 430-436 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Selective enhancement of the hole photocurrent by surface plasmon–polaritons in layers of Ge/Si quantum dots

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 апр. 2017, в: JETP Letters. 105, 7, стр. 426-429 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Analytical theory for charge carrier recombination in blend organic solar cells

    Nenashev, A. V., Wiemer, M., Dvurechenskii, A. V., Kulik, L. V., Pevtsov, A. B., Gebhard, F., Koch, M. & Baranovskii, S. D., 28 мар. 2017, в: Physical Review B. 95, 10, 12 стр., 104207.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Elastic strain field due to an inclusion of a polyhedral shape with a non-uniform lattice misfit

    Nenashev, A. V. & Dvurechenskii, A. V., 28 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 12, 19 стр., 125102.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Surface-Enhanced Infrared Absorption by Optical Phonons in Nanocrystal Monolayers on Au Nanoantenna Arrays

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Sveshnikova, L. L., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 16 мар. 2017, в: Journal of Physical Chemistry C. 121, 10, стр. 5779-5786 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors

    Zhuravlev, K. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Tereshenko, O. E., Abgaryan, K. K., Reviznikov, D. L., Zemlyakov, V. E., Egorkin, V. I., Parnes, Y. M., Tikhomirov, V. G. & Prosvirin, I. P., 1 мар. 2017, в: Semiconductors. 51, 3, стр. 379-386 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Charge transport in thin hafnium and zirconium oxide films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мар. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 2, стр. 184-189 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Element base of quantum informatics II: Quantum communications with single photons

    Ryabtsev, I. I., Tretyakov, D. B., Kolyako, A. V., Pleshkov, A. S., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 121-130 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Element base of quantum informatics I. Qubits of a quantum computer based on single atoms in optical traps

    Ryabtsev, I. I., Beterov, I. I., Yakshina, E. A., Tretyakov, D. B., Entin, V. M., Neizvestny, I. G., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 мар. 2017, в: Russian Microelectronics. 46, 2, стр. 109-120 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Local anodic oxidation of solid GeO films: The nanopatterning possibilities

    Astankova, K. N., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мар. 2017, в: Surfaces and Interfaces. 6, стр. 56-59 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Giant microwave-induced B -periodic magnetoresistance oscillations in a two-dimensional electron gas with a bridged-gate tunnel point contact

    Levin, A. D., Mikhailov, S. A., Gusev, G. M., Kvon, Z. D., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 4 стр., 081408.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Temperature dependence of photon-enhanced thermionic emission from GaAs surface with nonequilibrium Cs overlayers

    Zhuravlev, A. G. & Alperovich, V. L., 15 февр. 2017, в: Applied Surface Science. 395, стр. 3-8 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Ultrafast energy- and momentum-resolved surface Dirac photocurrents in the topological insulator Sb2Te3

    Kuroda, K., Reimann, J., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kimura, A., Güdde, J. & Höfer, U., 2 февр. 2017, в: Physical Review B. 95, 8, 5 стр., 081103.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. ESR Study of Electron States in Ge/Si Heterostructures with Nanodisc Shaped Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 1 февр. 2017, в: Zeitschrift fur Physikalische Chemie. 231, 2, стр. 405-423 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Nucleation of two-dimensional islands on Si (111) during high-temperature epitaxial growth

    Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2017, в: Semiconductors. 51, 2, стр. 203-206 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface

    Sitnikov, S. V., Latyshev, A. V. & Kosolobov, S. S., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 196-201 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. AlInAs quantum dots

    Gaisler, A. V., Derebezov, I. A., Gaisler, V. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kozhukhov, A. S., Shcheglov, D. V., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, в: JETP Letters. 105, 2, стр. 103-109 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 189-221 33 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  23. Atomic Structure of Semiconductor Low-Dimensional Heterosystems

    Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 223-253 31 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  24. Ballistic magnetotransport in a suspended two-dimensional electron gas with periodic antidot lattices

    Zhdanov, E. Y., Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Pokhabov, D. A. & Bakarov, A. K., 1 янв. 2017, в: Semiconductors. 51, 1, стр. 8-13 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. Determination of trap density in hafnium oxide films produced by different atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 265-270 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  26. Electron Transport: From Nanostructures to Nanoelectromechanical Systems

    Pogosov, A. G., Budantsev, M. V., Shevyrin, A. A., Zhdanov, E. Y. & Pokhabov, D. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 101-129 29 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  27. Formation of GaAs Step-Terraced Surfaces by Annealing in Equilibrium Conditions

    Alperovich, V. L., Akhundov, I. O., Kazantsev, D. M., Rudaya, N. S., Rodyakina, E. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Karpov, A. N., Shwartz, N. L., Terekhov, A. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 255-277 23 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  28. Formation of Periodic Structures (2D-PhCs) by Scanning Electron Lithography

    Utkin, D., Shklyev, A., Tsarev, A., Latyshev, A. & Nasimov, D., 1 янв. 2017, в: Physics Procedia. 86, стр. 127-130 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  29. Modeling of Quantum Transport and Single-Electron Charging in GaAs/AlGaAs-Nanostructures

    Tkachenko, O. A., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 131-155 25 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  30. Oxygen polyvacancies as conductive filament in zirconia: First principle simulation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 357-362 6 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  31. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  32. Preface

    Latyshev, A. V., Dvurechenskii, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. xxiii-xxiv

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › предисловие, научный комментарий, послесловие › научная › Рецензирование

  33. Silicon-Based Nanoheterostructures With Quantum Dots

    Dvurechenskii, A. V. & Yakimov, A. I., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 59-99 41 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  34. Surface Morphologies Obtained by Ge Deposition on Bare and Oxidized Silicon Surfaces at Different Temperatures

    Shklyaev, A. A., Romanyuk, K. N., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 325-344 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  35. The charge trap density evolution in wake-up and fatigue modes of FRAM

    Islamov, D. R., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. J., 1 янв. 2017, SEMICONDUCTORS, DIELECTRICS, AND METALS FOR NANOELECTRONICS 15: IN MEMORY OF SAMARES KAR. Misra, D., DeGendt, S., Houssa, M., Kita, K. & Landheer, D. (ред.). 1 ред. Electrochemical Society, Inc., Том 80. стр. 279-281 3 стр. (ECS Transactions; том 80).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  36. The Energy Pulse-Oriented Crystallization Phenomenon in Solids (Laser Annealing)

    Dvurechenskii, A. V., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 367-381 15 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  37. The Nature of Defects Responsible for Transport in a Hafnia-Based Resistive Random Access Memory Element

    Islamov, D. R., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Aliev, V. S., Saraev, A. A., Kaichev, V. V., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Chin, A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 493-504 12 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  38. Two-Dimensional Semimetal in HgTe-Based Quantum Wells

    Kvon, Z. D., Olshanetsky, E. B., Kozlov, D. A., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 29-48 20 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  39. Universality of the (113) Habit Plane in Si for Mixed Aggregation of Vacancies and Self-Interstitial Atoms Provided by Topological Bond Defect Formation

    Fedina, L. I., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 383-407 25 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  40. 2016

  41. Terahertz resistive response of a two-dimensional topological insulator in a quasiballistic transport regime

    Kvon, Z. D., Dantscher, K. -M., Scherr, M. -T., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 нояб. 2016, в: JETP Letters. 104, 10, стр. 716-720 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. Application of surface-enhanced infrared spectroscopy for steroids analysis

    Cherkasova, O. P., Milekhin, A. G., Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 авг. 2016, Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. S229 (Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  43. Three-dimensional non-linear complex model of dynamic memristor switching

    Chernov, A. A., Islamov, D. R., Pik'nik, A. A., Perevalov, T. V. & Gritsenko, V. A., 1 янв. 2016, NONVOLATILE MEMORIES 5. Karim, Z., Kobayashi, K., Shima, H., Bersuker, G., Shingubara, S., Saito, Y., Park, J. G., Magyari-Kope, B., Kubota, H. & Goux, L. (ред.). 32 ред. Electrochemical society, стр. 95-104 10 стр. (ECS Transactions; том 75, № 32).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  44. Localized surface plasmons in structures with linear Au nanoantennas on a SiO2/Si surface

    Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 2016, в: Beilstein Journal of Nanotechnology. 7, 1, стр. 1519-1526 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  45. 2012

  46. Formation of DNA molecules ordered systems on silicon surfaces

    Matkhonova, E. Y., Utkin, D. E., Kozhukhov, A. S., Sheglov, D. V., Nasimov, D. A. & Latyshev, A. V., 2012, 2012 13th Annual International Conference and Seminar of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM'2012 - Proceedings. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. 13-15 3 стр. 6310204. (International Workshop and Tutorials on Electron Devices and Materials, EDM - Proceedings).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3084764