Topological surface states in thick partially relaxed HgTe films

Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Vasilev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kolesnikov, A. V., 14 мая 2019, в: Physical Review B. 99, 19, 7 стр., 195423.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Erratum to: Bound State of an Electron in a MOS Structure Due to the Spin–Orbit Interaction (Journal of Experimental and Theoretical Physics, (2018), 127, 6, (1130-1135), 10.1134/S1063776118120075)

Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 мая 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 128, 5, стр. 816-816 1 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › комментарий, выступление › Рецензирование

The role of a plasmonic substrate on the enhancement and spatial resolution of tip-enhanced Raman scattering

Rahaman, M., Milekhin, A. G., Mukherjee, A., Rodyakina, E. E., Latyshev, A. V., Dzhagan, V. M. & Zahn, D. R. T., 1 мая 2019, в: Faraday Discussions. 214, стр. 309-323 15 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Monte Carlo simulation of roughening at step-terraced surfaces

Kazantsev, D. M., Shwartz, N. L. & Alperovich, V. L., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012010.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Surface photovoltage in a p-GaN(Cs) photocathode

Rozhkov, S. A., Bakin, V. V., Gorshkov, D. V., Kosolobov, S. N. & Scheibler, H. E., 17 апр. 2019, в: Journal of Physics: Conference Series. 1199, 1, 012031.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Conduction mechanisms of TaN/HfO _x /Ni memristors

Voronkovskii, V. A., Aliev, V. S., Gerasimova, A. K. & Islamov, D. R., 5 апр. 2019, в: Materials Research Express. 6, 7, 7 стр., 076411.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Evolution of Micropits on Large Terraces of the Si(111) Surface during High-Temperature Annealing

Petrov, A. S., Sitnikov, S. V., Kosolobov, S. S. & Latyshev, A. V., 1 апр. 2019, в: Semiconductors. 53, 4, стр. 434-438 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron spatial localization tuned by strain in Ge/Si quantum dot heterostructures

Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., 22 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 9 стр., 115314.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Superradiant and transport lifetimes of the cyclotron resonance in the topological insulator HgTe

Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D. & Pimenov, A., 20 мар. 2019, в: Physical Review B. 99, 11, 5 стр., 115130.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Dirac gap opening and Dirac-fermion-mediated magnetic coupling in antiferromagnetic Gd-doped topological insulators and their manipulation by synchrotron radiation

Shikin, A. M., Estyunin, D. A., Surnin, Y. I., Koroleva, A. V., Shevchenko, E. V., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Kumar, S., Schwier, E. F., Shimada, K., Yoshikawa, T., Saitoh, Y., Takeda, Y. & Kimura, A., 18 мар. 2019, в: Scientific Reports. 9, 1, стр. 4813 17 стр., 4813.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование