Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO₂: ab initio simulations

Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf_0.5Zr_0.5O₂ stabilization: DFT simulation

Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Step bunching phenomena on Si(0 0 1) surface induced by DC heating during sublimation and Si deposition

Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 15 авг. 2019, в: Journal of Crystal Growth. 520, стр. 85-88 4 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Topological Protection Brought to Light by the Time-Reversal Symmetry Breaking

Piatrusha, S. U., Tikhonov, E. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Khrapai, V. S., 2 авг. 2019, в: Physical Review Letters. 123, 5, 6 стр., 056801.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Interaction between Electrons and Dipole Excitons in Two-Dimensional Systems (Scientific Summary)

Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 июн. 2019, в: JETP Letters. 109, 12, стр. 806-815 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование