1. 2020
  2. Features of MIS Structures Based on Insulating PbSnTe:In Films with the Composition in the Vicinity of the Band Inversion Related to Their Ferroelectric Properties

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Matyushenko, E. V., Neizvestny, I. G., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Tereshchenko, O. E. & Epov, V. S., 1 окт. 2020, в: Semiconductors. 54, 10, стр. 1325-1331 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Optical and Transport Properties of Epitaxial Pb0.74Sn0.26Te(In) Films with a Modifiable Surface

    Ikonnikov, A. V., Dudin, V. S., Artamkin, A. I., Akimov, A. N., Klimov, A. E., Tereshchenko, O. E., Ryabova, L. I. & Khokhlov, D. R., 1 сент. 2020, в: Semiconductors. 54, 9, стр. 1086-1091 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Plasmon-Enhanced Vibrational Spectroscopy of Semiconductors Nanocrystals

    Milekhin, A. G., Duda, T. A., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V., Kuznetsov, S. A., Milekhin, I. A., Zahn, D. R. T. & Latyshev, A. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 503-509 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Transport Properties of Two-Dimensional Topological Insulators and Excitonic Condensates

    Boev, M. V., Braginskii, L. S., Kovalev, V. M., Magarill, L. I., Mahmoodian, M. M. & Entin, M. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 545-552 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Vapor growth of Bi2Se3 and Bi2O2Se crystals on mica

    Kokh, K. A., Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Kustov, D. A., Golyashov, V. A., Goldyreva, E. S., Stepina, N. P., Kirienko, V. V. & Tereshchenko, O. E., сент. 2020, в: Materials Research Bulletin. 129, 6 стр., 110906.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Tunable 3D/2D magnetism in the (MnBi2Te4)(Bi2Te3) m topological insulators family

    Klimovskikh, I. I., Otrokov, M. M., Estyunin, D., Eremeev, S. V., Filnov, S. O., Koroleva, A., Shevchenko, E., Voroshnin, V., Rybkin, A. G., Rusinov, I. P., Blanco-Rey, M., Hoffmann, M., Aliev, Z. S., Babanly, M. B., Amiraslanov, I. R., Abdullayev, N. A., Zverev, V. N., Kimura, A., Tereshchenko, O. E., Kokh, K. A., еще 7Petaccia, L., Di Santo, G., Ernst, A., Echenique, P. M., Mamedov, N. T., Shikin, A. M. & Chulkov, E. V., 3 авг. 2020, в: npj Quantum Materials. 5, 1, 9 стр., 54.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Comment on "charge transport in disordered semiconducting polymers driven by nuclear tunneling"

    Nenashev, A. V., Gebhard, F. & Baranovskii, S. D., 1 авг. 2020, в: Physical Review B. 102, 6, 1 стр., 066201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Localization of Excitons on Planar Defects in Semiconductor Crystals

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 авг. 2020, в: JETP Letters. 112, 4, стр. 230-233 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Luminescence of Spatially Ordered Self-Assembled Solitary Ge(Si) Nanoislands and their Groups Incorporated into Photonic Crystals

    Smagina, Z. V., Novikov, A. V., Stepikhova, M. V., Zinovyev, V. A., Rodyakina, E. E., Nenashev, A. V., Sergeev, S. M., Peretokin, A. V., Kuchinskaya, P. A., Shaleev, M. V., Gusev, S. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 авг. 2020, в: Semiconductors. 54, 8, стр. 853-859 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3084764