281 - 300 из 476Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2019

  2. Features of the Impurity-Photoconductivity Spectra of PbSnTe(In) Epitaxial Films with Temperature Changes

    Ikonnikov, A. V., Chernichkin, V. I., Dudin, V. S., Akopian, D. A., Akimov, A. N., Klimov, A. E., Tereshchenko, O. E., Ryabova, L. I. & Khokhlov, D. R., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1272-1277 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Magnetic and Electronic Properties of Gd-Doped Topological Insulator Bi1.09Gd0.06Sb0.85Te3

    Filnov, S. O., Surnin, Y. A., Koroleva, A. V., Klimovskikh, I. I., Estyunin, D. A., Varykhalov, A. Y., Bokai, K. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Golyashov, V. A., Shevchenko, E. V. & Shikin, A. M., 1 сент. 2019, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 129, 3, стр. 404-412 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Modulation of Magneto-Intersubband Oscillations in a One-Dimensional Lateral Superlattice

    Bykov, A. A., Strygin, I. S., Goran, A. V., Nomokonov, D. V., Marchishin, I. V., Bakarov, A. K., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 5, стр. 354-358 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Percolation description of charge transport in the random barrier model applied to amorphous oxide semiconductors

    Baranovskii, S. D., Nenashev, A. V., Oelerich, J. O., Greiner, S. H. M., Dvurechenskii, A. V. & Gebhard, F., 1 сент. 2019, в: EPL. 127, 5, 5 стр., 57004.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Photon-Assisted Electron Transmission through a Quantum Point Contact

    Tkachenko, O. A., Baksheev, D. G., Tkachenko, V. A., Kvon, Z. D., Yaroshevich, A. S., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 480-487 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Plasmon-Enhanced Near-Field Optical Spectroscopy of Multicomponent Semiconductor Nanostructures

    Anikin, K. V., Milekhin, A. G., Rahaman, M., Duda, T. A., Milekhin, I. A., Rodyakina, E. E., Vasiliev, R. B., Dzhagan, V. M., Zahn, D. R. T. & Latyshev, A. V., 1 сент. 2019, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 55, 5, стр. 488-494 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Plasmonic Field Enhancement by Metallic Subwave Lattices on Silicon in the Near-Infrared Range

    Yakimov, A. I., Bloshkin, A. A. & Dvurechenskii, A. V., 1 сент. 2019, в: JETP Letters. 110, 6, стр. 411-416 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Real-time observation of self-interstitial reactions on an atomically smooth silicon surface

    Kosolobov, S., Nazarikov, G., Sitnikov, S., Pshenichnyuk, I., Fedina, L. & Latyshev, A., 1 сент. 2019, в: Surface Science. 687, стр. 25-33 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Surface Сonductivity Dynamics in PbSnTe:In Films in the Vicinity of a Band Inversion: In Films in the Vicinity of a Band Inversion

    Klimov, A. E., Akimov, A. N., Akhundov, I. O., Golyashov, V. A., Gorshkov, D. V., Ishchenko, D. V., Sidorov, G. Y., Suprun, S. P., Tarasov, A. S., Epov, V. S. & Tereshchenko, O. E., 1 сент. 2019, в: Semiconductors. 53, 9, стр. 1182-1186 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Effect of oxygen vacancies on the ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 stabilization: DFT simulation

    Islamov, D. R. & Perevalov, T. V., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 4 стр., 111041.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Kinetics of anticrossing between slip traces and vicinal steps on crystal surfaces

    Coupeau, C., Kazantsev, D. M., Drouet, M. & Alperovich, V. L., 15 авг. 2019, в: Acta Materialia. 175, стр. 206-213 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Step bunching phenomena on Si(0 0 1) surface induced by DC heating during sublimation and Si deposition

    Rodyakina, E. E., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I. & Latyshev, A. V., 15 авг. 2019, в: Journal of Crystal Growth. 520, стр. 85-88 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Topological Protection Brought to Light by the Time-Reversal Symmetry Breaking

    Piatrusha, S. U., Tikhonov, E. S., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Khrapai, V. S., 2 авг. 2019, в: Physical Review Letters. 123, 5, 6 стр., 056801.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Electron emission from GaAs(Cs,O): Transition from negative to positive effective affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 31 июл. 2019, в: Applied Surface Science. 483, стр. 895-900 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Edge States and Capacitance of a 2D Topological Insulator

    Braginsky, L. S. & Entin, M. V., 1 июн. 2019, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 256, 6, 4 стр., 1800675.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Electromigration Effect on Vacancy Islands Nucleation on Si(100) Surface during Sublimation

    Sitnikov, S. V., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 1 июн. 2019, в: Semiconductors. 53, 6, стр. 795-799 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Interaction between Electrons and Dipole Excitons in Two-Dimensional Systems (Scientific Summary)

    Kalameitsev, A. V., Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 июн. 2019, в: JETP Letters. 109, 12, стр. 806-815 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Cyclotron-resonance-induced photogalvanic effect in surface states of 200-nm-thick strained HgTe films

    Candussio, S., Budkin, G. V., Otteneder, M., Kozlov, D. A., Dmitriev, I. A., Bel'Kov, V. V., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Ganichev, S. D., 23 мая 2019, в: Physical Review Materials. 3, 5, 11 стр., 054205.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. Topological surface states in thick partially relaxed HgTe films

    Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Vasilev, N. N., Kvon, Z. D., Mikhailov, N. N., Dvoretsky, S. A. & Kolesnikov, A. V., 14 мая 2019, в: Physical Review B. 99, 19, 7 стр., 195423.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 16 17 18 ...24 Далее

ID: 3084764