441 - 443 из 443Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Advacancy-mediated atomic steps kinetics and two-dimensional negative island nucleation on ultra-flat Si(111) surface

    Sitnikov, S. V., Latyshev, A. V. & Kosolobov, S. S., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 196-201 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2D island nucleation controlled by nanocluster diffusion during Si and Ge epitaxy on Si(1 1 1)-(7 × 7) surface at elevated temperatures

    Petrov, A. S., Rogilo, D. I., Sheglov, D. V. & Latyshev, A. V., 1 февр. 2020, в: Journal of Crystal Growth. 531, 6 стр., 125347.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...41 42 43 44 45 Далее

ID: 3084764