421 - 430 из 446Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. Atomic Rearrangements and Photoemission Processes at a p-GaN(Cs)–Vacuum Interface

    Bakin, V. V., Kosolobov, S. N., Rozhkov, S. A., Scheibler, H. E. & Terekhov, A. S., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 3, стр. 180-184 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. Atomic Processes on the Silicon Surface

    Latyshev, A. V., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Sitnikov, S. V., Rogilo, D. I., Rodyakina, E. E., Nasimov, D. A., Sheglov, D. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications. Latyshev, AV., Dvurechenskii, AV. & Aseev, AL. (ред.). Elsevier Science Publishing Company, Inc., стр. 189-221 33 стр. (Advances in Semiconductor Nanostructures: Growth, Characterization, Properties and Applications).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › научная › Рецензирование

  3. Atomic Force Microscopy Local Oxidation of GeO Thin Films

    Astankova, K. N., Kozhukhov, A. S., Gorokhov, E. B., Azarov, I. A. & Latyshev, A. V., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 16, стр. 2081-2084 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Atomic and electronic structures of the native defects responsible for the resistive effect in HfO2: ab initio simulations

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2019, в: Microelectronic Engineering. 216, 5 стр., 111038.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Asymmetry of anticrossing between atomic steps on metal and semiconductor surfaces

    Khoroshilov, V. S., Kazantsev, D. M., Alperovich, V. L., Coupeau, C. & Drouet, M., 28 мар. 2022, в: Journal of Physics: Conference Series. 2227, 1, 012008.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  8. A Study of the Crystal Structure of Co40Fe40B20 Epitaxial Films on a Bi2Te3 Topological Insulator

    Kaveev, A. K., Suturin, S. M., Sokolov, N. S., Kokh, K. A. & Tereshchenko, O. E., 1 мар. 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 3, стр. 184-186 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Arrays of Metal Nanostructures for Plasmon-enhanced Spectroscopy

    Milekhin, A. G., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E., Anikin, K. V., Milekhin, I. A., Veber, S. L., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 апр. 2020, в: Journal of Physics: Conference Series. 1461, 1, 4 стр., 012100.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  10. Array of dielectric Mie particles with optical surface resonances as a promising coating for thin-film photoelectronic device applications

    Shklyaev, A. A., Utkin, D. E., Tsarev, A. V. & Latyshev, A. V., мар. 2025, в: Vacuum. 233, 113976.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...39 40 41 42 43 44 45 Далее

ID: 3084764