151 - 200 из 218Размер страницы: 50
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Investigation of the scaled simulator of the gas flow distributer for catalytic neutralization of gas emissions

    Yavorsky, N. I., Kabardin, I. K., Meledin, V. G., Pravdina, M. K., Rakhmanov, V. V., Dvoynishnikov, S. V., Glavny, V. G., Krotov, S. V., Satbakov, O. Y., Klimonov, I. A., Balzhinimayev, B. S., Zolotarskiy, I. A. & Ivanov, S. Y., 2 нояб. 2018, 19th International Conference on the Methods of Aerophysical Research, ICMAR 2018. Fomin (ред.). American Institute of Physics Inc., Том 2027. 7 стр. 030119. (AIP Conference Proceedings; том 2027).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  3. Heterostructures with InAs/AlAs Quantum Wells and Quantum Dots Grown on GaAs/Si Hybrid Substrates

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Putyato, M. A., Semyagin, B. R. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1484-1490 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Spinodal Decomposition in InSb/AlAs Heterostructures

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2018, в: Semiconductors. 52, 11, стр. 1392-1397 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. The Evolution of the Conductivity and Cathodoluminescence of the Films of Hafnium Oxide in the Case of a Change in the Concentration of Oxygen Vacancies

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Kruchinin, V. N., Ivanova, E. V., Zamoryanskaya, M. V. & Lebedev, M. S., 1 окт. 2018, в: Physics of the Solid State. 60, 10, стр. 2050-2057 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Aluminum-induced crystallization of silicon suboxide thin films

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Khmel, S. Y., Volodin, V. A., Vdovin, V. I. & Gutakovskii, A. K., 1 сент. 2018, в: Applied Physics A: Materials Science and Processing. 124, 9, 4 стр., 646.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. On the Formation of IR-Light-Emitting Ge Nanocrystals in Ge: SiO2 Films

    Volodin, V. A., Rui, Z., Krivyakin, G. K., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 сент. 2018, в: Semiconductors. 52, 9, стр. 1178-1187 10 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Nanoscale potential fluctuations in nonstoichiometrics tantalum oxide

    Gritsenko, V. A., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Prosvirin, I. P., 15 авг. 2018, в: Nanotechnology. 29, 42, стр. 425202 9 стр., 425202.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Nanostructuring few-layer graphene films with swift heavy ions for electronic application: Tuning of electronic and transport properties

    Nebogatikova, N. A., Antonova, I. V., Erohin, S. V., Kvashnin, D. G., Olejniczak, A., Volodin, V. A., Skuratov, A. V., Krasheninnikov, A. V., Sorokin, P. B. & Chernozatonskii, L. A., 14 авг. 2018, в: Nanoscale. 10, 30, стр. 14499-14509 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Atomic and Electronic Structures of Metal-Rich Noncentrosymmetric ZrOx

    Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kruchinin, V. N., Gerasimova, A. K. & Prosvirin, I. P., 1 авг. 2018, в: JETP Letters. 108, 4, стр. 226-230 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Raman scattering in boron doped nanocrystalline diamond films: Manifestation of Fano interference and phonon confinement effect

    Volodin, V. A., Mortet, V., Taylor, A., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 авг. 2018, в: Solid State Communications. 276, стр. 33-36 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. On Raman scattering cross section ratio of crystalline and microcrystalline to amorphous silicon

    Zhigunov, D. M., Kamaev, G. N., Kashkarov, P. K. & Volodin, V. A., 9 июл. 2018, в: Applied Physics Letters. 113, 2, 4 стр., 023101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. Errors of Estimating the Parameters of Local Magnetic Anomalies Based on Magnetic Survey Performed at Different Altitudes by an Unmanned Aerial Vehicle

    Kosykh, V. P., Gromilin, G. I., Firsov, A. P. & Savluk, A. V., 1 июл. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 4, стр. 328-333 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. Atomic and Electronic Structures of Intrinsic Defects in Ta2O5: Ab Initio Simulation

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R. & Chernykh, I. G., 1 июн. 2018, в: JETP Letters. 107, 12, стр. 761-765 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. Effect of annealing in oxidizing atmosphere on optical and structural properties of silicon suboxide thin films obtained by gas-jet electron beam plasma chemical vapor deposition method

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Merkulova, I. E., Volodin, V. A., Sharafutdinov, M. R. & Khmel, S. Y., 1 июн. 2018, в: Vacuum. 152, стр. 319-326 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  16. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Gritsenko, V. A., 1 июн. 2018, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 124, 6, стр. 808-813 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  18. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  19. Estimation of the Scanning Speed of Random Texture by a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Drazhnikov, B. N., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 мая 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 3, стр. 250-255 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  20. Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

    Volodin, V. A., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мая 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 5, стр. 424-427 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  21. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  22. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  23. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  24. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  25. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  26. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  27. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  28. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  29. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр. (Defect and Diffusion Forum; том 386 DDF).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  30. 2017

  31. Estimation of the Alignment Parameters of a Scanning Device with a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 570-575 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  32. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  33. Simultaneous Localization and Mapping System on the Basis of a CoreSLAM Approach

    Baramiya, D. A., D’yakov, M. S., Kuzikovskii, S. A. & Lavrentyev, M. M., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 599-603 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  34. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  35. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  36. Experimental study of ionic liquid-water flow in T-shaped microchannels with different aspect ratios

    Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 27 сент. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 899, 3, 6 стр., 032026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  37. Photoemission and Injection Properties of a Vacuum Photodiode with Two Negative-Electron-Affinity Semiconductor Electrodes

    Rodionov, A. A., Golyashov, V. A., Chistokhin, I. B., Jaroshevich, A. S., Derebezov, I. A., Haisler, V. A., Shamirzaev, T. S., Marakhovka, I. I., Kopotilov, A. V., Kislykh, N. V., Mironov, A. V., Aksenov, V. V. & Tereshchenko, O. E., 26 сент. 2017, в: Physical Review Applied. 8, 3, 8 стр., 034026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  38. Stress-induced indirect to direct band gap transition in β -FeSi2 nanocrystals embedded in Si

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotsenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Iinuma, M. & Terai, Y., 14 сент. 2017, Proceedings of International Conference on Metamaterials and Nanophotonics, METANANO 2017. American Institute of Physics Inc., Том 1874. 5 стр. 030007. (AIP Conference Proceedings; том 1874).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  39. Determining the structure of energy in heterostructures with diffuse interfaces

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 81, 9, стр. 1052-1057 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  40. Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem

    Abramkin, D. S., Bakarov, A. K., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Kolotovkina, D. A., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1233-1239 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  41. Numerical and experimental study of the slug-flow regime in a mixture of castor and paraffin oils in a T-type microchannel

    Minakov, A. V., Shebeleva, A. A., Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 1 сент. 2017, в: Technical Physics Letters. 43, 9, стр. 857-859 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  42. Specific features of the ion-beam synthesis of Ge nanocrystals in SiO2 thin films

    Tyschenko, I. E., Cherkov, A. G., Volodin, V. A. & Voelskow, M., 1 сент. 2017, в: Semiconductors. 51, 9, стр. 1240-1246 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  43. Leakage currents mechanism in thin films of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Islamov, D. R., Chernikova, A. G., Kozodaev, M. G., Markeev, A. M., Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A. & Orlov, O. M., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012002.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  44. Mechanism of charge transport of stress induced leakage current and trap nature in thermal oxide on silicon

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Orlov, O. M. & Krasnikov, G. Y., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012003.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  45. Oxygen polyvacancy in anatas as a filament: First principle investigation

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 15 авг. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 864, 1, 4 стр., 012084.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  46. Light-emitting Si nanostructures formed by swift heavy ions in a-Si:H/SiO2 multilayer heterostructures

    Cherkova, S. G., Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Kamaev, G. N. & Skuratov, V. A., 1 авг. 2017, в: Materials Research Express. 4, 8, 7 стр., 085001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  47. Ge nanocrystals formed by furnace annealing of Ge(x)[SiO2](1-x) films: Structure and optical properties

    Volodin, V. A., Cherkov, A. G., Antonenko, A. K., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 1 июл. 2017, в: Materials Research Express. 4, 7, 9 стр., 075010.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  48. Synthesis of basic bismuth(III) oxalate by precipitation from nitrate solutions

    Timakova, E. V., Afonina, L. I., Bulina, N. V., Shatskaya, S. S., Yukhin, Y. M. & Volodin, V. A., 1 июл. 2017, в: Russian Journal of Applied Chemistry. 90, 7, стр. 1040-1046 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  49. Atomic and electronic structure of oxygen polyvacancies in ZrO2

    Perevalov, T. V. & Islamov, D. R., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 275-278 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  50. Determination of trap density in hafnia films produced by two atomic layer deposition techniques

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Lebedev, M. S., 25 июн. 2017, в: Microelectronic Engineering. 178, стр. 104-107 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  51. Electron emission from Cs/GaAs and GaAs(Cs, О) with positive and negative electron affinity

    Zhuravlev, A. G., Khoroshilov, V. S. & Alperovich, V. L., 1 мая 2017, в: JETP Letters. 105, 10, стр. 686-690 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  52. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 Далее

ID: 3087404