141 - 150 из 191Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Estimation of the Scanning Speed of Random Texture by a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Drazhnikov, B. N., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 мая 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 3, стр. 250-255 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

    Volodin, V. A., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мая 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 5, стр. 424-427 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  6. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 16 17 18 ...20 Далее

ID: 3087404