141 - 150 из 187Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2018

  2. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр.

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  9. 2017

  10. Estimation of the Alignment Parameters of a Scanning Device with a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 570-575 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  12. Simultaneous Localization and Mapping System on the Basis of a CoreSLAM Approach

    Baramiya, D. A., D’yakov, M. S., Kuzikovskii, S. A. & Lavrentyev, M. M., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 599-603 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...11 12 13 14 15 16 17 18 19 Далее

ID: 3087404