1. 2018
  2. Ion-Beam Synthesis of the Crystalline Ge Phase in SiOxNy Films upon Annealing under High Pressure

    Tyschenko, I. E., Krivyakin, G. K. & Volodin, V. A., 1 февр. 2018, в: Semiconductors. 52, 2, стр. 268-272 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Raman and photoluminescence spectroscopy of SiGe layer evolution on Si(100) induced by dewetting

    Shklyaev, A. A., Volodin, V. A., Stoffel, M., Rinnert, H. & Vergnat, M., 7 янв. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 1, 8 стр., 015304.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Electronic Structure of Oxygen Vacancies in the Orthorhombic Noncentrosymmetric Phase Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Gritsenko, V. A., Islamov, D. R. & Prosvirin, I. P., 1 янв. 2018, в: JETP Letters. 107, 1, стр. 55-60 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Enhanced optical properties of silicon based quantum dot heterostructures

    Dvurechenskii, A., Yakimov, A., Kirienko, V., Bloshkin, A., Zinovyev, V., Zinovieva, A. & Mudryi, A., 1 янв. 2018, Physics and Technology of Nanostructured Materials. Trans Tech Publications Ltd, Том 386 DDF. стр. 68-74 7 стр. (Defect and Diffusion Forum; том 386 DDF).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  6. 2017
  7. Estimation of the Alignment Parameters of a Scanning Device with a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 570-575 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures

    Nikiforov, V. E., Abramkin, D. S. & Shamirzaev, T. S., 1 нояб. 2017, в: Semiconductors. 51, 11, стр. 1513-1516 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Simultaneous Localization and Mapping System on the Basis of a CoreSLAM Approach

    Baramiya, D. A., D’yakov, M. S., Kuzikovskii, S. A. & Lavrentyev, M. M., 1 нояб. 2017, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 53, 6, стр. 599-603 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Plasmon polariton enhanced mid-infrared photodetectors based on Ge quantum dots in Si

    Yakimov, A. I., Kirienko, V. V., Bloshkin, A. A., Armbrister, V. A. & Dvurechenskii, A. V., 7 окт. 2017, в: Journal of Applied Physics. 122, 13, 7 стр., 133101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Formation and study of p–i–n structures based on two-phase hydrogenated silicon with a germanium layer in the i-type region

    Krivyakin, G. K., Volodin, V. A., Shklyaev, A. A., Mortet, V., More-Chevalier, J., Ashcheulov, P., Remes, Z., Stuchliková, T. H. & Stuchlik, J., 1 окт. 2017, в: Semiconductors. 51, 10, стр. 1370-1376 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  12. Experimental study of ionic liquid-water flow in T-shaped microchannels with different aspect ratios

    Yagodnitsyna, A. A., Kovalev, A. V. & Bilsky, A. V., 27 сент. 2017, в: Journal of Physics: Conference Series. 899, 3, 6 стр., 032026.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3087404