1. 2018
  2. Forbidden Resonant Raman Scattering in GaAs/AlAs Superlattices: Experiment and Calculations

    Volodin, V. A., Sachkov, V. A. & Sinyukov, M. P., 1 июн. 2018, в: Semiconductors. 52, 6, стр. 717-722 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Optical Properties of Nonstoichiometric Tantalum Oxide TaOx (x < 5/2) According to Spectral-Ellipsometry and Raman-Scattering Data

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Perevalov, T. V., Gerasimova, A. K., Aliev, V. S. & Gritsenko, V. A., 1 июн. 2018, в: Optics and Spectroscopy (English translation of Optika i Spektroskopiya). 124, 6, стр. 808-813 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Electronic structure of stoichiometric and oxygen-deficient ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2

    Perevalov, T. V., Islamov, D. R., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 11 мая 2018, в: Nanotechnology. 29, 19, 8 стр., 194001.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Estimation of the Scanning Speed of Random Texture by a Multirow Focal Plane Array

    Gromilin, G. I., Kosykh, V. P., Drazhnikov, B. N., Kozlov, K. V. & Vasil’ev, V. N., 1 мая 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 3, стр. 250-255 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Local Oscillations of Silicon–Silicon Bonds in Silicon Nitride

    Volodin, V. A., Gritsenko, V. A. & Chin, A., 1 мая 2018, в: Technical Physics Letters. 44, 5, стр. 424-427 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. New Method of Porous Ge Layer Fabrication: Structure and Optical Properties

    Gorokhov, E. B., Astankova, K. N., Azarov, I. A., Volodin, V. A. & Latyshev, A. V., 1 мая 2018, в: Semiconductors. 52, 5, стр. 628-631 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. Photoemission properties of flat and rough GaAs surfaces with cesium and oxygen layers

    Zhuravlev, A. G., Kazantsev, D. M., Khoroshilov, V. S., Kozhukhov, A. S. & Alperovich, V. L., 10 апр. 2018, в: Journal of Physics: Conference Series. 993, 1, 6 стр., 012007.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатья по материалам конференцииРецензирование

  9. Heterostructures with diffused interfaces: Luminescent technique for ascertainment of band alignment type

    Abramkin, D. S., Gutakovskii, A. K. & Shamirzaev, T. S., 21 мар. 2018, в: Journal of Applied Physics. 123, 11, 11 стр., 115701.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Influence of a Low-Temperature GaAs Dislocation Filter on the Perfection of GaAs/Si Layers

    Abramkin, D. S., Petrushkov, M. O., Emel’yanov, E. A., Putyato, M. A., Semyagin, B. R., Vasev, A. V., Esin, M. Y., Loshkarev, I. D., Gutakovskii, A. K., Preobrazhenskii, V. V. & Shamirzaev, T. S., 1 мар. 2018, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 54, 2, стр. 181-186 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Energy spectrum of charge carriers in elastically strained assemblies of Ge/Si quantum dots

    Bloshkin, A. A., Yakimov, A. I., Zinovieva, A. F., Zinoviev, V. A. & Dvurechenskii, A. V., мар. 2018, в: Journal of Surface Investigation. 12, 2, стр. 306-316 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3087404