1. 2020
  2. Multiperiodic Spin Precession of the Optically Induced Spin Polarization in Al xGa 1 - xAs/AlAs Single Quantum Well

    Ullah, S., Gusev, G. M., Bakarov, A. K. & Hernandez, F. G. G., 1 апр. 2020, в: Iranian Journal of Science and Technology, Transaction A: Science. 44, 2, стр. 549-555 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Conductivity of a two-dimensional HgTe layer near the critical width: The role of developed edge states network and random mixture of p-and n-domains

    Mahmoodian, M. M. & Entin, M. V., 15 мар. 2020, в: Physical Review B. 101, 12, 9 стр., 125415.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Possibilities of Characterizing the Crystal Parameters of Cd xHg1 – xTe Structures on GaAs Substrates by the Method of Generation of the Probe-Radiation Second Harmonic in Reflection Geometry

    Stupak, M. F., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Yakushev, M. V., Ikusov, D. G., Makarov, S. N., Elesin, A. G. & Verkhoglyad, A. G., 28 февр. 2020, в: Physics of the Solid State. 62, 2, стр. 252-259 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Anisotropy of the in-plane g-factor of electrons in HgTe quantum wells

    Minkov, G. M., Ya Aleshkin, V., Rut, O. E., Sherstobitov, A. A., Dvoretski, S. A., Mikhailov, N. N. & Germanenko, A. V., 15 февр. 2020, в: Physical Review B. 101, 8, 9 стр., 085305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Density of states measurements for the heavy subband of holes in HgTe quantum wells

    Kuntsevich, A. Y., Minkov, G. M., Sherstobitov, A. A., Tupikov, Y. V., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 15 февр. 2020, в: Physical Review B. 101, 8, 10 стр., 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Low-temperature dissipation and its persistent photoinduced change in AlGaAs/GaAs-based nanomechanical resonators

    Shevyrin, A. A., Pogosov, A. G., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 3 февр. 2020, в: Applied Physics Letters. 116, 5, 5 стр., 053104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 февр. 2020, в: Technical Physics Letters. 46, 2, стр. 154-157 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. Electronic structure and nanoscale potential fluctuations in strongly nonstoichiometric PECVD SiOx

    Perevalov, T. V., Volodin, V. A., Kamaev, G. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 1 февр. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 529, 4 стр., 119796.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Electron mass in a HgTe quantum well: Experiment versus theory

    Minkov, G. M., Aleshkin, V. Y., Rut, O. E., Sherstobitov, A. A., Germanenko, A. V., Dvoretski, S. A. & Mikhailov, N. N., февр. 2020, в: Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures. 116, 8 стр., 113742.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. Circularly polarized Raman scattering in silicon

    Talochkin, A. B., 1 янв. 2020, в: Journal of Raman Spectroscopy. 51, 1, стр. 201-206 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 3083697