51 - 60 из 235Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2020

  2. Phonon-assisted electron tunneling between traps in silicon oxide films treated in hydrogen plasma

    Voronkovskii, V. A., Perevalov, T. V., Iskhakzay, R. M. H., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., 15 окт. 2020, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 546, 5 стр., 120256.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Optical Properties of the SiO x (x < 2) Thin Films Obtained by Hydrogen Plasma Processing of Thermal Silicon Dioxide

    Kruchinin, V. N., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Iskhakzai, R. M. K., Spesivtsev, E. V., Gritsenko, V. A. & Pustovarov, V. A., 1 окт. 2020, в: Optics and Spectroscopy. 128, 10, стр. 1577-1582 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Band structure of a HgTe-based three-dimensional topological insulator

    Gospodarič, J., Dziom, V., Shuvaev, A., Dobretsova, A. A., Mikhailov, N. N., Kvon, Z. D., Novik, E. G. & Pimenov, A., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 11, 9 стр., 115113.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Electrical control of spin relaxation anisotropy during drift transport in a two-dimensional electron gas

    Hernandez, F. G. G., Ferreira, G. J., Luengo-Kovac, M., Sih, V., Kawahala, N. M., Gusev, G. M. & Bakarov, A. K., сент. 2020, в: Physical Review B. 102, 12, 7 стр., 125305.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Transport Properties of Two-Dimensional Topological Insulators and Excitonic Condensates

    Boev, M. V., Braginskii, L. S., Kovalev, V. M., Magarill, L. I., Mahmoodian, M. M. & Entin, M. V., сент. 2020, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 56, 5, стр. 545-552 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Quantum Hall states in inverted HgTe quantum wells probed by transconductance fluctuations

    Mantion, S., Avogadri, C., Krishtopenko, S. S., Gebert, S., Ruffenach, S., Consejo, C., Morozov, S. V., Mikhailov, N. N., Dvoretskii, S. A., Knap, W., Nanot, S., Teppe, F. & Jouault, B., 15 авг. 2020, в: Physical Review B. 102, 7, 9 стр., 075302.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. A QCM-based rupture event scanning technique as a simple and reliable approach to study the kinetics of DNA duplex dissociation

    Kurus, N. N., Dultsev, F. N., Golyshev, V. M., Nekrasov, D. V., Pyshnyi, D. V. & Lomzov, A. A., 14 авг. 2020, в: Analytical Methods. 12, 30, стр. 3771-3777 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Localization of Excitons on Planar Defects in Semiconductor Crystals

    Mahmoodian, M. M. & Chaplik, A. V., 1 авг. 2020, в: JETP Letters. 112, 4, стр. 230-233 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Photo- and Thermoelectric Phenomena in Two-Dimensional Topological Insulators and Semimetals Based on HgTe Quantum Wells (Scientific Summary)

    Kvon, Z. D., Savchenko, M. L., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Yaroshevich, A. S. & Mikhailov, N. N., 1 авг. 2020, в: JETP Letters. 112, 3, стр. 161-172 12 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Topological insulators based on HgTe

    Kvon, Z. D., Kozlov, D. A., Olshanetsky, E. B., Gusev, G. M., Mikhailov, N. N. & Dvoretsky, S. A., 31 июл. 2020, в: Physics-Uspekhi. 63, 7, стр. 629-647 19 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 12 3 4 5 6 7 8 9 ...24 Далее

ID: 3083697