1 - 10 из 99Размер страницы: 10
Сортировать по:: Заголовок

  1. 2D Si island nucleation on the Si(111) surface at initial and late growth stages: On the role of step permeability in pyramidlike growth

    Rogilo, D. I., Fedina, L. I., Kosolobov, S. S., Ranguelov, B. S. & Latyshev, A. V., 1 янв. 2017, в: Journal of Crystal Growth. 457, стр. 188-195 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  2. AC and DC Conductivities in an n-GaAs/AlAs Heterostructure with a Wide Quantum Well in the Integer Quantum Hall Effect Regime

    Dmitriev, A. A., Drichko, I. L., Smirnov, I. Y., Bakarov, A. K. & Bykov, A. A., 1 июл. 2019, в: JETP Letters. 110, 1, стр. 68-73 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. AlInAs quantum dots

    Gaisler, A. V., Derebezov, I. A., Gaisler, V. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Kozhukhov, A. S., Shcheglov, D. V., Latyshev, A. V. & Aseev, A. L., 1 янв. 2017, в: JETP Letters. 105, 2, стр. 103-109 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Al2O3/InGaAs interface passivation by fluorine-containing anodic layers

    Aksenov, M. S., Valisheva, N. A., Gorshkov, D. V., Sidorov, G. Y., Prosvirin, I. P. & Gutakovskii, A. K., 28 февр. 2022, в: Journal of Applied Physics. 131, 8, 085301.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Aluminum-induced crystallization of silicon suboxide thin films

    Zamchiy, A. O., Baranov, E. A., Khmel, S. Y., Volodin, V. A., Vdovin, V. I. & Gutakovskii, A. K., 1 сент. 2018, в: Applied Physics A: Materials Science and Processing. 124, 9, 4 стр., 646.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Annealing effect on the barrier characteristics and interface properties of Au/Pt/Ti/n-InAlAs Schottky contacts

    Aksenov, M. S., Genze, I. Y., Chistokhin, I. B., Zakirov, E. R., Dmitriev, D. V., Zhuravlev, K. S., Gutakovskii, A. K., Golyashov, V. A. & Tereshchenko, O. E., июл. 2023, в: Surfaces and Interfaces. 39, 102920.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Anodic layer formation on the InAlAs surface in Townsend gas-discharge plasma

    Aksenov, M. S., Gutakovskii, A. K., Prosvirin, I. P., Dmitriev, D. V., Nedomolkina, A. A. & Valisheva, N. A., 1 нояб. 2019, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 102, 5 стр., 104611.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Anomalous negative magnetoresistance of two-dimensional electrons

    Kanter, J., Vitkalov, S. & Bykov, A. A., 24 мая 2018, в: Physical Review B. 97, 20, 7 стр., 205440.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Application of surface-enhanced infrared spectroscopy for steroids analysis

    Cherkasova, O. P., Milekhin, A. G., Milekhin, I. A., Kuznetsov, S. A., Rodyakina, E. E. & Latyshev, A. V., 23 авг. 2016, Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016. Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc., стр. S229 (Proceedings - 2016 International Conference Laser Optics, LO 2016).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  10. A room-temperature-operated Si LED with β-FeSi2 nanocrystals in the active layer: μW emission power at 1.5 μm

    Shevlyagin, A. V., Goroshko, D. L., Chusovitin, E. A., Balagan, S. A., Dotcenko, S. A., Galkin, K. N., Galkin, N. G., Shamirzaev, T. S., Gutakovskii, A. K., Latyshev, A. V., Iinuma, M. & Terai, Y., 21 мар. 2017, в: Journal of Applied Physics. 121, 11, 9 стр., 113101.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...10 Далее

ID: 3081475