Room-temperature nitrophenol reduction over ag–ceo₂ catalysts: The role of catalyst preparation method

Chernykh, M., Mikheeva, N., Zaikovskii, V., Salaev, M., Liotta, L. F. & Mamontov, G., 21 мая 2020, в: Catalysts. 10, 5, 12 стр., 580.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Revealing the underlying mechanisms behind TE extraordinary THz transmission

Freer, S., Camacho, M., Kuznetsov, S. A., Boix, R. R., Beruete, M. & Navarro-Cía, M., 1 апр. 2020, в: Photonics Research. 8, 4, стр. 430-439 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Resonant Raman scattering on graphene: SERS and gap-mode TERS

Kurus, N. N., Kalinin, V., Nebogatikova, N. A., Milekhin, I. A., Antonova, I. V., Rodyakina, E. E., Milekhin, A. G., Latyshev, A. V. & Zahn, D. R. T., 23 янв. 2024, в: RSC Advances. 14, 6, стр. 3667-3674 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Resonances in Ge disk lattices on Si at telecommunication wavelengths

Шкляев, А. А., Utkin, D., Зиновьев, В. А., Рудин, С. А., Зиновьева, А. Ф., Ненашев, А. В., Ташкеев, Н. А. & Вебер, С. Л., 16 дек. 2025, в: Physical Review A. 112, 6, 10 стр., 063528.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Resonance reflection of light by ordered silicon nanopillar arrays with the vertical p-n junction

Basalaeva, L. S., Nastaushev, Y. V., Kryzhanovskaya, N. V., Moiseev, E. I., Radnatarov, D. A., Khripunov, S. A., Utkin, D. E., Chistokhin, I. B., Latyshev, A. V. & Dultsev, F. N., 28 февр. 2019, в: Thin Solid Films. 672, стр. 109-113 5 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Resonance Raman Scattering of Topological Insulators Bi2Te3 and Bi2 − xSbxTe3 − ySey Thin Films

Kumar, N., Surovtsev, N. V., Ishchenko, D. V., Yunin, P. A., Milekhin, I. A., Tereshchenko, O. E. & Milekhin, A. G., 26 нояб. 2024, в: Journal of Raman Spectroscopy. 10 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Resistive switching in non-stoichiometric germanosilicate glass films containing ge nanoclusters

Volodin, V. A., Geydt, P., Kamaev, G. N., Gismatulin, A. A., Krivyakin, G. K., Prosvirin, I. P., Azarov, I. A., Fan, Z. & Vergnat, M., дек. 2020, в: Electronics (Switzerland). 9, 12, стр. 1-17 17 стр., 2103.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Remarkable enhancement of photoluminescence and photoresponse due to photonic crystal structures based on GeSiSn/Si multiple quantum wells

Timofeev, V. A., Mashanov, V. I., Nikiforov, A. I., Skvortsov, I. V., Gayduk, A. E., Bloshkin, A. A., Kirienko, V. V., Utkin, D. E., Kolyada, D. V., Firsov, D. D. & Komkov, O. S., апр. 2023, в: Materials Today Physics. 33, 9 стр., 101052.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Regimes of enhanced electromagnetic emission in beam-plasma interactions

Timofeev, I. V., Annenkov, V. V. & Arzhannikov, A. V., 1 нояб. 2015, в: Physics of Plasmas. 22, 11, 113109.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO₂ Surface Films

Feklistov, K. V., Cherkov, A. G., Popov, V. P. & Fedina, L. I., 1 дек. 2018, в: Semiconductors. 52, 13, стр. 1696-1703 8 стр.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование