Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO2 Surface Films › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Redistribution of Erbium and Oxygen Recoil Atoms and the Structure of Silicon Thin Surface Layers Formed by High-Dose Argon Implantation through Er and SiO₂ Surface Films

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

DOI

https://doi.org/10.1134/S1063782618130055
Конечная издательская версия

K. V. Feklistov
A. G. Cherkov
V. P. Popov
L. I. Fedina

Язык оригинала	английский
Страницы (с-по)	1696-1703
Число страниц	8
Журнал	Semiconductors
Том	52
Номер выпуска	13
DOI	https://doi.org/10.1134/S1063782618130055
Состояние	Опубликовано - 1 дек. 2018

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 18066701