41 - 50 из 194Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Cu2ZnSnS4crystal growth using an SnCl2based flux

    Kokh, K. A., Atuchin, V. V., Adichtchev, S. V., Gavrilova, T. A., Bakhadur, A. M., Klimov, A. O., Korolkov, I. V., Kuratieva, N. V., Mukherjee, S., Pervukhina, N. V. & Surovtsev, N. V., 28 янв. 2021, в: CrystEngComm. 23, 4, стр. 1025-1032 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique

    Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Milakhin, D. S., Protasov, D. Y., Ber, B. Y., Kazantsev, D. Y., Ratnikov, V. V., Shcheglov, M. P., Smirnov, A. N., Davydov, V. Y. & Zhuravlev, K. S., 15 янв. 2021, в: Journal of Crystal Growth. 554, 8 стр., 125963.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. Crossing and anticrossing of 1D subbands in a quantum point contact with in-plane side gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., 4 янв. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 1, 5 стр., 012104.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge transport mechanism in the metal–nitride–oxide–silicon forming-free memristor structure

    Gismatulin, A. A., Orlov, O. M., Gritsenko, V. A. & Krasnikov, G. Y., янв. 2021, в: Chaos, Solitons and Fractals. 142, 110458.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Electron Spin Resonance in Heterostructures with Ring Molecules of GeSi Quantum Dots

    Zinovieva, A. F., Zinovyev, V. A., Nenashev, A. V., Shklyaev, A. A., Kulik, L. V. & Dvurechenskii, A. V., янв. 2021, в: JETP Letters. 113, 1, стр. 52-56 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Exceedingly high performance top-gate p-type sno thin film transistor with a nanometer scale channel layer

    Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., янв. 2021, в: Nanomaterials. 11, 1, стр. 1-11 11 стр., 92.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. High mobility oxide complementary tfts for system-on-display and three-dimensional brain-mimicking ic

    Chin, A., Yen, T. J., Chen, Y. D., Shih, C. W. & Gritsenko, V., 2021, в: Digest of Technical Papers - SID International Symposium. 52, S1, стр. 292-294 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...20 Далее

ID: 19061863