Mg3N2 nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH3-MBE technique › Обзор исследований

Исследовательский портал НГУ

Mg₃N₂ nanocrystallites formation during the GaN:Mg layers growth by the NH₃-MBE technique

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Лаборатория полупроводниковых и диэлектрических материалов ФФ

DOI

https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125963
Конечная издательская версия

T. V. Malin
V. G. Mansurov
Yu G. Galitsyn
D. S. Milakhin
D. Yu Protasov
B. Ya Ber
D. Yu Kazantsev
V. V. Ratnikov
M. P. Shcheglov
A. N. Smirnov
V. Yu Davydov
K. S. Zhuravlev

Язык оригинала	английский
Номер статьи	125963
Число страниц	8
Журнал	Journal of Crystal Growth
Том	554
DOI	https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2020.125963
Состояние	Опубликовано - 15 янв. 2021

Предметные области OECD FOS+WOS

ID: 26141336