The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al_0.3Ga_0.7N/AlN/GaN heterostructures

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Язык оригинала	английский
Номер статьи	105449
Число страниц	8
Журнал	Materials Science in Semiconductor Processing
Том	122
DOI	https://doi.org/10.1016/j.mssp.2020.105449
Состояние	Опубликовано - февр. 2021

ID: 25688865