31 - 40 из 188Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Analysis of the AlN phase transition on a sapphire surface within a universal 2D lattice gas model in MBE

    Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G. & Zhuravlev, K. S., 15 апр. 2021, в: Journal of Physics: Conference Series. 1851, 1, 012005.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья по материалам конференции › Рецензирование

  3. Peculiarities of the AlN crystalline phase formation in a result of the electron-stimulated reconstruction transition (√31×√31)R ± 9° − (1 × 1)

    Milakhin, D. S., Malin, T. V., Mansurov, V. G., Galitsyn, Y. G., Kozhukhov, A. S., Utkin, D. E. & Zhuravlev, K. S., 1 мар. 2021, в: Applied Surface Science. 541, 148548.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. Charge Transport Mechanism in Atomic Layer Deposited Oxygen-Deficient TaOx Films

    Gismatulin, A., Gritsenko, V., Perevalov, T., Kuzmichev, D., Chernikova, A. & Markeev, A., мар. 2021, в: Physica Status Solidi (B) Basic Research. 258, 3, 6 стр., 2000432.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part II—Films

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Aliev, V. S., Nadolinny, V. A. & Chin, A., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100980.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Oxygen vacancies in zirconium oxide as the blue luminescence centres and traps responsible for charge transport: Part I—Crystals

    Islamov, D. R., Gritsenko, V. A., Perevalov, T. V., Yelisseyev, A. P., Pustovarov, V. A., Korolkov, I. V. & Lomonova, E. E., мар. 2021, в: Materialia. 15, 100979.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. AlSb/InAs Heterostructures for Microwave Transistors

    Sukhanov, M. A., Bakarov, A. K. & Zhuravlev, K. S., февр. 2021, в: Technical Physics Letters. 47, 2, стр. 139-142 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  8. Charge Transport Mechanism and Trap Origin in Methyl-Terminated Organosilicate Glass Low-κ Dielectrics

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Dolbak, A. E., Gritsenko, V. A., Trofimova, E. S., Pustovarov, V. A., Seregin, D. S., Vorotilov, K. A. & Baklanov, M. R., февр. 2021, в: Physica Status Solidi (A) Applications and Materials Science. 218, 4, 7 стр., 2000654.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. The effect of passivation layer, doping and spacer layer on electron- longitudinal optical phonon momentum relaxation time in Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructures

    Sonmez, F., Ardali, S., Atmaca, G., Lisesivdin, S. B., Malin, T., Mansurov, V., Zhuravlev, K. & Tiras, E., февр. 2021, в: Materials Science in Semiconductor Processing. 122, 8 стр., 105449.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Charge transport mechanism in the forming-free memristor based on silicon nitride

    Gismatulin, A. A., Kamaev, G. N., Kruchinin, V. N., Gritsenko, V. A., Orlov, O. M. & Chin, A., 28 янв. 2021, в: Scientific Reports. 11, 1, 2417.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Cu2ZnSnS4crystal growth using an SnCl2based flux

    Kokh, K. A., Atuchin, V. V., Adichtchev, S. V., Gavrilova, T. A., Bakhadur, A. M., Klimov, A. O., Korolkov, I. V., Kuratieva, N. V., Mukherjee, S., Pervukhina, N. V. & Surovtsev, N. V., 28 янв. 2021, в: CrystEngComm. 23, 4, стр. 1025-1032 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...19 Далее

ID: 19061863