21 - 30 из 190Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2021

  2. Substitution of Phosphorus at the InP(001) Surface Upon Annealing in an Arsenic Flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Fedosenko, E. V., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., нояб. 2021, в: Semiconductors. 55, 11, стр. 823-827 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. Charge Transport in Amorphous Silicon Nitride

    Novikov, Y. N. & Gritsenko, V. A., окт. 2021, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 133, 4, стр. 488-493 6 стр., 13.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  4. High-Power Microwave Photodiodes Based on MBE-Grown InAlAs/InGaAs Heterostructures

    Zhuravlev, K. S., Gilinskii, A. M., Chistokhin, I. B., Valisheva, N. A., Dmitriev, D. V., Toropov, A. I., Aksenov, M. S., Chizh, A. L. & Mikitchuk, K. B., сент. 2021, в: Technical Physics. 66, 9, стр. 1072-1077 6 стр., 34.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  5. Light Emission by Monolayers of Molybdenum Disulfide

    Marchenko, A. V., Kurus, N. N., Kolosvetov, A. A. & Milekhin, A. G., сент. 2021, в: Optoelectronics, Instrumentation and Data Processing. 57, 5, стр. 532-538 7 стр., 12.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  6. Transformation of the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux

    Dmitriev, D. V., Kolosovsky, D. A., Gavrilova, T. A., Gutakovskii, A. K., Toropov, A. I. & Zhuravlev, K. S., авг. 2021, в: Surface Science. 710, 121861.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. InAs Islands Formation on the InP(001) during High-Temperature Annealing in an As Flux

    Kolosovsky, D., Dmitriev, D., Gavrilova, T., Toropov, A., Kozhukhov, A. & Zhuravlev, K., 30 июн. 2021, 2021 IEEE 22nd International Conference of Young Professionals in Electron Devices and Materials, EDM 2021 - Proceedings. IEEE Computer Society, стр. 17-21 5 стр. 9507627. (International Conference of Young Specialists on Micro/Nanotechnologies and Electron Devices, EDM; том 2021-June).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › статья в сборнике материалов конференции › научная › Рецензирование

  8. Bipolar conductivity in ferroelectric La:HfZrO films

    Perevalov, T. V., Gismatulin, A. A., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P., Mehmood, F., Mikolajick, T. & Schroeder, U., 28 июн. 2021, в: Applied Physics Letters. 118, 26, 262903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  9. Negative thermal expansion in one-dimension of a new double sulfate AgHo(SO4)2 with isolated SO4 tetrahedra

    Denisenko, Y. G., Atuchin, V. V., Molokeev, M. S., Wang, N., Jiang, X., Aleksandrovsky, A. S., Krylov, A. S., Oreshonkov, A. S., Sedykh, A. E., Volkova, S. S., Lin, Z., Andreev, O. V. & Müller-Buschbaum, K., 20 июн. 2021, в: Journal of Materials Science and Technology. 76, стр. 111-121 11 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  10. Atomic Structure and Optical Properties of Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposited SiCOH Low-k Dielectric Film

    Kruchinin, V. N., Volodin, V. A., Rykhlitskii, S. V., Gritsenko, V. A., Posvirin, I. P., Shi, X. & Baklanov, M. R., июн. 2021, в: Optics and Spectroscopy. 129, 6, стр. 645-651 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. Improved device distribution in high-performance sinx resistive random access memory via arsenic ion implantation

    Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., июн. 2021, в: Nanomaterials. 11, 6, 1401.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 ...19 Далее

ID: 19061863