1. 2020
  2. Electronic structure and charge transport mechanism in a forming-free SiOx-based memristor

    Gismatulin, A. A., Voronkovskii, V. A., Kamaev, G. N., Novikov, Y. N., Kruchinin, V. N., Krivyakin, G. K., Gritsenko, V. A., Prosvirin, I. P. & Chin, A., 11 дек. 2020, в: Nanotechnology. 31, 50, 10 стр., 505704.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. Drift velocity in GaN semiconductors: Monte Carlo simulation and comparison with experimental measurements

    Kablukova, E., Sabelfeld, K., Protasov, D. Y. & Zhuravlev, K. S., 1 дек. 2020, в: Monte Carlo Methods and Applications. 26, 4, стр. 263-271 9 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  4. Atomic and Electronic Structure of SiOx Films Obtained with Hydrogen Electron Cyclotron Resonance Plasma

    Perevalov, T. V., Iskhakzai, R. M. K., Aliev, V. S., Gritsenko, V. A. & Prosvirin, I. P., дек. 2020, в: Journal of Experimental and Theoretical Physics. 131, 6, стр. 940-944 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. Double-Channel Electron Transport in Suspended Quantum Point Contacts with in-Plane Side Gates

    Pokhabov, D. A., Pogosov, A. G., Zhdanov, E. Y., Bakarov, A. K. & Shklyaev, A. A., дек. 2020, в: Semiconductors. 54, 12, стр. 1605-1610 6 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  6. Nanowired structure, optical properties and conduction band offset of RF magnetron-deposited n-Si/In2O3:Er films

    Feklistov, K. V., Lemzyakov, A. G., Prosvirin, I. P., Gismatulin, A. A., Shklyaev, A. A., Zhivodkov, Y. A., Krivyakin, G., Komonov, A. I., Kozhukhov, A. S., Spesivsev, E. V., Gulyaev, D. V., Abramkin, D. S., Pugachev, A. M., Esaev, D. G. & Sidorov, G. Y., дек. 2020, в: Materials Research Express. 7, 12, 11 стр., 125903.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. Optical Properties of (ZrO2)1 –x(Y2O3)х (х = 0–0.037) Crystals Grown by Directional Crystallization of the Melt

    Perevalov, T. V., Kruchinin, V. N., Rykhlitskii, S. V., Gritsenko, V. A., Eliseev, A. P. & Lomonova, E. E., дек. 2020, в: Optics and Spectroscopy. 128, 12, стр. 1963-1969 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. The modification of optical properties of the surfaces by the glancing angle deposition of TiO2

    Lemzyakov, A., Konstantin, K., Porosev, V., Azarov, I. & Shklyaev, A., 17 нояб. 2020, Synchrotron and Free Electron Laser Radiation: Generation and Application, SFR 2020. Knyazev, B. & Vinokurov, N. (ред.). American Institute of Physics Inc., 060008. (AIP Conference Proceedings; том 2299).

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференцийстатья в сборнике материалов конференциинаучнаяРецензирование

  9. Comprehensive density functional theory studies of vibrational spectra of carbonates

    Zhuravlev, Y. N. & Atuchin, V. V., нояб. 2020, в: Nanomaterials. 10, 11, стр. 1-19 19 стр., 2275.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  10. Dependence of light reflection of germanium Mie nanoresonators on their aspect ratio

    Utkin, D. E., Anikin, K. V., Veber, S. L. & Shklyaev, A. A., нояб. 2020, в: Optical Materials. 109, 5 стр., 110466.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  11. High-performance top-gate thin-film transistor with an ultra-thin channel layer

    Yen, T. J., Chin, A. & Gritsenko, V., нояб. 2020, в: Nanomaterials. 10, 11, стр. 1-8 8 стр., 2145.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

ID: 19061863